Wafer SiC Semi Isolasi 6 Inci

Deskripsi Singkat:

Wafer silikon karbida (SiC) semi-isolasi VET Energy berukuran 6 inci merupakan substrat berkualitas tinggi yang ideal untuk berbagai aplikasi elektronika daya. VET Energy menggunakan teknik pertumbuhan canggih untuk menghasilkan wafer SiC dengan kualitas kristal yang luar biasa, kepadatan cacat rendah, dan resistivitas tinggi.


Detail Produk

Label Produk

Wafer SiC Semi-Isolasi 6 Inci dari VET Energy merupakan solusi canggih untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi, yang menawarkan konduktivitas termal dan insulasi listrik yang unggul. Wafer semi-isolasi ini penting dalam pengembangan perangkat seperti penguat RF, sakelar daya, dan komponen tegangan tinggi lainnya. VET Energy memastikan kualitas dan kinerja yang konsisten, menjadikan wafer ini ideal untuk berbagai proses fabrikasi semikonduktor.

Selain sifat isolasinya yang luar biasa, wafer SiC ini kompatibel dengan berbagai material termasuk Wafer Si, Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, dan Wafer Epi, yang membuatnya serbaguna untuk berbagai jenis proses manufaktur. Selain itu, material canggih seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan Wafer AlN dapat digunakan dalam kombinasi dengan wafer SiC ini, yang memberikan fleksibilitas yang lebih besar pada perangkat elektronik berdaya tinggi. Wafer ini dirancang untuk integrasi yang mulus dengan sistem penanganan standar industri seperti sistem Kaset, yang memastikan kemudahan penggunaan dalam pengaturan produksi massal.

VET Energy menawarkan portofolio substrat semikonduktor yang lengkap, termasuk Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, dan AlN Wafer. Lini produk kami yang beragam memenuhi kebutuhan berbagai aplikasi elektronik, mulai dari elektronika daya hingga RF dan optoelektronika.

Wafer SiC semi-isolasi 6 inci menawarkan beberapa keunggulan:
Tegangan tembus tinggi: Celah pita SiC yang lebar memungkinkan tegangan tembus yang lebih tinggi, sehingga menghasilkan perangkat daya yang lebih ringkas dan efisien.
Operasi suhu tinggi: Konduktivitas termal SiC yang sangat baik memungkinkan pengoperasian pada suhu yang lebih tinggi, meningkatkan keandalan perangkat.
Resistansi rendah: Perangkat SiC menunjukkan resistansi rendah, mengurangi kehilangan daya dan meningkatkan efisiensi energi.

VET Energy menawarkan wafer SiC yang dapat disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan spesifik Anda, termasuk ketebalan yang berbeda, tingkat doping, dan penyelesaian permukaan. Tim ahli kami menyediakan dukungan teknis dan layanan purnajual untuk memastikan keberhasilan Anda.

第6页-36
第6页-35

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=Tipe-n Kelas Pm,n-Ps=Tipe-n Kelas Ps,Sl=Semi-isolasi

Barang

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (Inggris Raya)

Ukuran ≤6um

Ukuran ≤6um

Bow(GF3YFCD)-Nilai Mutlak

≤15 mikron

≤15 mikron

≤25 mikron

≤15 mikron

Melengkung(GF3YFER)

≤25 mikron

≤25 mikron

Ukuran ≤40 mikrometer

≤25 mikron

LTV (SBIR)-10mm x 10mm

<2 mikron

Tepi Wafer

Kemiringan

AKHIR PERMUKAAN

*n-Pm=Tipe-n Kelas Pm,n-Ps=Tipe-n Kelas Ps,Sl=Semi-isolasi

Barang

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Permukaan Akhir

Poles Optik Dua Sisi, Si-Face CMP

Kekasaran Permukaan

(10um x 10um) Muka SiRa≤0,2nm
C-Wajah Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Sisi Si Ra≤0,2nm
Muka C Ra≤0,5nm

Keripik Tepi

Tidak Diizinkan (panjang dan lebar ≥ 0,5 mm)

Indentasi

Tidak Diizinkan

Goresan (Si-Face)

Jumlah ≤5, Kumulatif
Panjang ≤ 0,5 × diameter wafer

Jumlah ≤5, Kumulatif
Panjang ≤ 0,5 × diameter wafer

Jumlah ≤5, Kumulatif
Panjang ≤ 0,5 × diameter wafer

Retakan

Tidak Diizinkan

Pengecualian Tepi

ukuran 3mm

teknologi_1_2_ukuran
下载 (2)

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Obrolan Daring WhatsApp!