De 6 inch semi-isolerende SiC-wafer van VET Energy is een geavanceerde oplossing voor hoogvermogen- en hoogfrequente toepassingen en biedt superieure thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie. Deze semi-isolerende wafers zijn essentieel bij de ontwikkeling van apparaten zoals RF-versterkers, vermogensschakelaars en andere hoogspanningscomponenten. VET Energy garandeert consistente kwaliteit en prestaties, waardoor deze wafers ideaal zijn voor een breed scala aan halfgeleiderproductieprocessen.
Naast hun uitstekende isolerende eigenschappen zijn deze SiC-wafers compatibel met diverse materialen, waaronder Si-wafers, SiC-substraten, SOI-wafers, SiN-substraten en Epi-wafers, waardoor ze veelzijdig inzetbaar zijn voor verschillende productieprocessen. Bovendien kunnen geavanceerde materialen zoals galliumoxide, Ga2O3 en AlN-wafers in combinatie met deze SiC-wafers worden gebruikt, wat zorgt voor nog meer flexibiliteit in elektronische apparaten met een hoog vermogen. De wafers zijn ontworpen voor naadloze integratie met industriestandaard handlingsystemen zoals cassettesystemen, wat zorgt voor gebruiksgemak in massaproductieomgevingen.
VET Energy biedt een uitgebreid portfolio aan halfgeleidersubstraten, waaronder Si-wafers, SiC-substraten, SOI-wafers, SiN-substraten, Epi-wafers, Galliumoxide Ga2O3 en AlN-wafers. Onze diverse productlijn voorziet in de behoeften van diverse elektronische toepassingen, van vermogenselektronica tot RF en opto-elektronica.
De 6 inch semi-isolerende SiC-wafer biedt verschillende voordelen:
Hoge doorslagspanning: De grote bandgap van SiC maakt hogere doorslagspanningen mogelijk, wat compactere en efficiëntere apparaten mogelijk maakt.
Werking bij hoge temperaturen: de uitstekende thermische geleidbaarheid van SiC maakt werking bij hogere temperaturen mogelijk, waardoor de betrouwbaarheid van het apparaat wordt verbeterd.
Lage aan-weerstand: SiC-apparaten hebben een lagere aan-weerstand, waardoor het vermogensverlies afneemt en de energie-efficiëntie verbetert.
VET Energy biedt SiC-wafers op maat die voldoen aan uw specifieke eisen, inclusief verschillende diktes, doteringsniveaus en oppervlakteafwerkingen. Ons deskundige team biedt technische ondersteuning en aftersalesservice om uw succes te garanderen.
WAFERINGSPECIFICATIES
*n-Pm = n-type Pm-klasse, n-Ps = n-type Ps-klasse, Sl = half-isolerend
| Item | 8 inch | 6 inch | 4-inch | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bow (GF3YFCD) - Absolute waarde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Waferrand | Afschuinen | ||||
OPPERVLAKTEAFWERKING
*n-Pm = n-type Pm-klasse, n-Ps = n-type Ps-klasse, Sl = half-isolerend
| Item | 8 inch | 6 inch | 4-inch | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Oppervlakteafwerking | Dubbelzijdige optische polijst, Si-Face CMP | ||||
| Oppervlakteruwheid | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-oppervlak Ra≤0,2 nm | |||
| Randchips | Niet toegestaan (lengte en breedte ≥ 0,5 mm) | ||||
| Inspringingen | Niet toegestaan | ||||
| Krassen (Si-Face) | Aantal ≤ 5, cumulatief | Aantal ≤ 5, cumulatief | Aantal ≤ 5, cumulatief | ||
| Scheuren | Niet toegestaan | ||||
| Randuitsluiting | 3 mm | ||||
-
Fabrikant van vanadium-stroombatterijpakketten...
-
PEM-cel gasdiffusielaag platina-gecoate ti...
-
Siliciumcarbide gecoat grafietsubstraat voor S...
-
Waterstofbrandstofcelstapel levert hoge precisie H...
-
Watergekoelde waterstofbrandstofcelmotor zonder...
-
Grote gerekristalliseerde siliciumcarbidewafer...

