6 inch semi-isolerende SiC-wafer

Korte beschrijving:

De 6 inch semi-isolerende siliciumcarbide (SiC) wafer van VET Energy is een hoogwaardig substraat, ideaal voor een breed scala aan toepassingen in de vermogenselektronica. VET Energy gebruikt geavanceerde groeitechnieken om SiC-wafers te produceren met een uitzonderlijke kristalkwaliteit, lage defectdichtheid en hoge soortelijke weerstand.


Productdetails

Productlabels

De 6 inch semi-isolerende SiC-wafer van VET Energy is een geavanceerde oplossing voor hoogvermogen- en hoogfrequente toepassingen en biedt superieure thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie. Deze semi-isolerende wafers zijn essentieel bij de ontwikkeling van apparaten zoals RF-versterkers, vermogensschakelaars en andere hoogspanningscomponenten. VET Energy garandeert consistente kwaliteit en prestaties, waardoor deze wafers ideaal zijn voor een breed scala aan halfgeleiderproductieprocessen.

Naast hun uitstekende isolerende eigenschappen zijn deze SiC-wafers compatibel met diverse materialen, waaronder Si-wafers, SiC-substraten, SOI-wafers, SiN-substraten en Epi-wafers, waardoor ze veelzijdig inzetbaar zijn voor verschillende productieprocessen. Bovendien kunnen geavanceerde materialen zoals galliumoxide, Ga2O3 en AlN-wafers in combinatie met deze SiC-wafers worden gebruikt, wat zorgt voor nog meer flexibiliteit in elektronische apparaten met een hoog vermogen. De wafers zijn ontworpen voor naadloze integratie met industriestandaard handlingsystemen zoals cassettesystemen, wat zorgt voor gebruiksgemak in massaproductieomgevingen.

VET Energy biedt een uitgebreid portfolio aan halfgeleidersubstraten, waaronder Si-wafers, SiC-substraten, SOI-wafers, SiN-substraten, Epi-wafers, Galliumoxide Ga2O3 en AlN-wafers. Onze diverse productlijn voorziet in de behoeften van diverse elektronische toepassingen, van vermogenselektronica tot RF en opto-elektronica.

De 6 inch semi-isolerende SiC-wafer biedt verschillende voordelen:
Hoge doorslagspanning: De grote bandgap van SiC maakt hogere doorslagspanningen mogelijk, wat compactere en efficiëntere apparaten mogelijk maakt.
Werking bij hoge temperaturen: de uitstekende thermische geleidbaarheid van SiC maakt werking bij hogere temperaturen mogelijk, waardoor de betrouwbaarheid van het apparaat wordt verbeterd.
Lage aan-weerstand: SiC-apparaten hebben een lagere aan-weerstand, waardoor het vermogensverlies afneemt en de energie-efficiëntie verbetert.

VET Energy biedt SiC-wafers op maat die voldoen aan uw specifieke eisen, inclusief verschillende diktes, doteringsniveaus en oppervlakteafwerkingen. Ons deskundige team biedt technische ondersteuning en aftersalesservice om uw succes te garanderen.

第6页-36
第6页-35

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm = n-type Pm-klasse, n-Ps = n-type Ps-klasse, Sl = half-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow (GF3YFCD) - Absolute waarde

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Waferrand

Afschuinen

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm = n-type Pm-klasse, n-Ps = n-type Ps-klasse, Sl = half-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oppervlakteafwerking

Dubbelzijdige optische polijst, Si-Face CMP

Oppervlakteruwheid

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-vlak Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-oppervlak Ra≤0,2 nm
C-vlak Ra≤0,5 nm

Randchips

Niet toegestaan ​​(lengte en breedte ≥ 0,5 mm)

Inspringingen

Niet toegestaan

Krassen (Si-Face)

Aantal ≤ 5, cumulatief
Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter

Aantal ≤ 5, cumulatief
Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter

Aantal ≤ 5, cumulatief
Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter

Scheuren

Niet toegestaan

Randuitsluiting

3 mm

tech_1_2_formaat
下载 (2)

  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Online Chat!