VET Energy ର 6 ଇଞ୍ଚ ସେମି ଇନସୁଲେଟିଂ SiC ୱେଫର ହେଉଛି ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଏକ ଉନ୍ନତ ସମାଧାନ, ଯାହା ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଏବଂ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରଦାନ କରେ। ଏହି ସେମି-ଇନ୍ସ୍ୟୁଲେଟିଂ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ RF ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର, ପାୱାର ସ୍ୱିଚ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ ଉପାଦାନ ଭଳି ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶରେ ଅତ୍ୟାବଶ୍ୟକ। VET Energy ସ୍ଥିର ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ, ଯାହା ଏହି ୱେଫରଗୁଡ଼ିକୁ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ନିର୍ମାଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଏକ ବିସ୍ତୃତ ପରିସର ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ।
ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଇନସୁଲେଟିଂ ଗୁଣ ସହିତ, ଏହି SiC ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ Si Wafer, SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, SOI ୱେଫର, SiN ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏବଂ Epi Wafer ସମେତ ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ବହୁମୁଖୀ କରିଥାଏ। ଏହା ବ୍ୟତୀତ, ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ Ga2O3 ଏବଂ AlN ୱେଫର ଭଳି ଉନ୍ନତ ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକୁ ଏହି SiC ୱେଫର ସହିତ ମିଶ୍ରଣରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକରେ ଆହୁରି ଅଧିକ ନମନୀୟତା ପ୍ରଦାନ କରେ। ୱେଫରଗୁଡ଼ିକୁ କ୍ୟାସେଟ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଭଳି ଶିଳ୍ପ-ମାନକ ହ୍ୟାଣ୍ଡଲିଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ସହିତ ନିର୍ବିଘ୍ନ ସମନ୍ୱୟ ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି, ଯାହା ବହୁଳ ଉତ୍ପାଦନ ସେଟିଂରେ ବ୍ୟବହାରର ସହଜତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ।
VET ଏନର୍ଜି ସି ୱାଫର, SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, SOI ୱାଫର, SiN ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, Epi ୱାଫର, Gallium Oxide Ga2O3, ଏବଂ AlN ୱାଫର ସମେତ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଗୁଡ଼ିକର ଏକ ବ୍ୟାପକ ପୋର୍ଟଫୋଲିଓ ପ୍ରଦାନ କରେ। ଆମର ବିବିଧ ଉତ୍ପାଦ ଲାଇନ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି RF ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବିଭିନ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକର ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ।
6 ଇଞ୍ଚ ସେମି-ଇନ୍ସ୍ୟୁଲେଟିଂ SiC ୱେଫର ଅନେକ ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରେ:
ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ ଭୋଲଟେଜ: SiC ର ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ ଅଧିକ ବ୍ରେକଡାଉନ ଭୋଲଟେଜକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଯାହା ଅଧିକ କମ୍ପାକ୍ଟ ଏବଂ ଦକ୍ଷ ପାୱାର ଡିଭାଇସ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ।
ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ କାର୍ଯ୍ୟ: SiC ର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଯାହା ଡିଭାଇସର ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ।
କମ୍ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ: SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ କମ୍ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ, ବିଦ୍ୟୁତ୍ କ୍ଷତି ହ୍ରାସ କରେ ଏବଂ ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତାରେ ଉନ୍ନତି ଆଣେ।
VET Energy ଆପଣଙ୍କ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ କଷ୍ଟମାଇଜେବଲ୍ SiC ୱେଫର୍ସ ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯେଉଁଥିରେ ବିଭିନ୍ନ ଘନତା, ଡୋପିଂ ସ୍ତର ଏବଂ ପୃଷ୍ଠ ଫିନିସ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ। ଆମର ବିଶେଷଜ୍ଞ ଦଳ ଆପଣଙ୍କ ସଫଳତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ବୈଷୟିକ ସହାୟତା ଏବଂ ବିକ୍ରୟ ପରବର୍ତ୍ତୀ ସେବା ପ୍ରଦାନ କରେ।
ୱାଫରିଂ ସ୍ପେସିଫିକେସନ୍ସ
*n-Pm=n-ପ୍ରକାର Pm-ଗ୍ରେଡ୍,n-Ps=n-ପ୍ରକାର Ps-ଗ୍ରେଡ୍,Sl=ଅର୍ଦ୍ଧ-ନଳୀକରଣ
| ଆଇଟମ୍ | ୮-ଇଞ୍ଚ | ୬-ଇଞ୍ଚ | ୪-ଇଞ୍ଚ | ||
| ଏନପି | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| ଟିଟିଭି(ଜିବିଆଇଆର) | ≤୬ଅମ | ≤୬ଅମ | |||
| ଧନୁ(GF3YFCD)-ପରମେଶ୍ୱର ମୂଲ୍ୟ | ≤୧୫μମି | ≤୧୫μମି | ≤୨୫μମି | ≤୧୫μମି | |
| ୱାର୍ପ(GF3YFER) | ≤୨୫μମି | ≤୨୫μମି | ≤୪୦μମି | ≤୨୫μମି | |
| LTV(SBIR)-୧୦ମିମିx୧୦ମିମି | <2μm | ||||
| ୱେଫର୍ ଏଜ୍ | ବେଭେଲିଂ | ||||
ପୃଷ୍ଠ ଶେଷ
*n-Pm=n-ପ୍ରକାର Pm-ଗ୍ରେଡ୍,n-Ps=n-ପ୍ରକାର Ps-ଗ୍ରେଡ୍,Sl=ଅର୍ଦ୍ଧ-ନଳୀକରଣ
| ଆଇଟମ୍ | ୮-ଇଞ୍ଚ | ୬-ଇଞ୍ଚ | ୪-ଇଞ୍ଚ | ||
| ଏନପି | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| ପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତି | ଡବଲ୍ ସାଇଡ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପଲିସ୍, ସାଇ-ଫେସ୍ CMP | ||||
| ପୃଷ୍ଠ ରୁକ୍ଷତା | (୧୦um x ୧୦um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-ଫେସ୍ Ra≤0.2nm | |||
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | କୌଣସି ଅନୁମତି ନାହିଁ (ଲମ୍ବ ଏବଂ ପ୍ରସ୍ଥ≥0.5mm) | ||||
| ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟଗୁଡ଼ିକ | କୌଣସି ଅନୁମତି ନାହିଁ | ||||
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ସ (ସାଇ-ଫେସ୍) | ପରିମାଣ ≤5, କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ | ପରିମାଣ ≤5, କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ | ପରିମାଣ ≤5, କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ | ||
| ଫାଟ | କୌଣସି ଅନୁମତି ନାହିଁ | ||||
| ଏଜ୍ ଏକ୍ସକ୍ଲୁଜନ୍ | ୩ ମିମି | ||||
-
ଭାନାଡିୟମ୍ ଷ୍ଟ୍ରିମ୍ ବ୍ୟାଟେରୀ ପ୍ୟାକ୍ ସିଇର ନିର୍ମାତା...
-
PEM କୋଷ ଗ୍ୟାସ ପ୍ରସାରଣ ସ୍ତର ପ୍ଲାଟିନମ୍-ଆବରଣିତ ti...
-
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ...
-
ହାଇଡ୍ରୋଜେନ ଇନ୍ଧନ ସେଲ୍ ଷ୍ଟାକ୍ ପାୱାର ଉଚ୍ଚ ସଠିକତା H...
-
ପାଣି ଥଣ୍ଡା ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ଇନ୍ଧନ ସେଲ୍ ଇଞ୍ଜିନ୍ ବିନା...
-
ବଡ଼ ଆକାରର ପୁନଃକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇଜ୍ ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର...

