৬ ইঞ্চি সেমি ইনসুলেটিং SiC ওয়েফার

ছোট বিবরণ:

VET Energy 6 ইঞ্চি সেমি-ইনসুলেটিং সিলিকন কার্বাইড (SiC) ওয়েফার হল একটি উচ্চ-মানের সাবস্ট্রেট যা বিস্তৃত পরিসরের পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ। VET Energy ব্যতিক্রমী স্ফটিক গুণমান, কম ত্রুটি ঘনত্ব এবং উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা সহ SiC ওয়েফার তৈরি করতে উন্নত বৃদ্ধি কৌশল ব্যবহার করে।


পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

VET Energy-এর 6 ইঞ্চি সেমি ইনসুলেটিং SiC ওয়েফার উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি উন্নত সমাধান, যা উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা এবং বৈদ্যুতিক অন্তরণ প্রদান করে। এই সেমি-ইনসুলেটিং ওয়েফারগুলি RF অ্যামপ্লিফায়ার, পাওয়ার সুইচ এবং অন্যান্য উচ্চ-ভোল্টেজ উপাদানগুলির মতো ডিভাইসগুলির উন্নয়নে অপরিহার্য। VET Energy ধারাবাহিক গুণমান এবং কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে, যা এই ওয়েফারগুলিকে বিস্তৃত পরিসরের সেমিকন্ডাক্টর তৈরির প্রক্রিয়ার জন্য আদর্শ করে তোলে।

তাদের অসাধারণ অন্তরক বৈশিষ্ট্যের পাশাপাশি, এই SiC ওয়েফারগুলি Si Wafer, SiC সাবস্ট্রেট, SOI ওয়েফার, SiN সাবস্ট্রেট এবং Epi Wafer সহ বিভিন্ন উপকরণের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, যা বিভিন্ন ধরণের উৎপাদন প্রক্রিয়ার জন্য এগুলিকে বহুমুখী করে তোলে। তাছাড়া, গ্যালিয়াম অক্সাইড Ga2O3 এবং AlN ওয়েফারের মতো উন্নত উপকরণগুলি এই SiC ওয়েফারগুলির সাথে একত্রে ব্যবহার করা যেতে পারে, যা উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিতে আরও বেশি নমনীয়তা প্রদান করে। ওয়েফারগুলি ক্যাসেট সিস্টেমের মতো শিল্প-মানক হ্যান্ডলিং সিস্টেমের সাথে নির্বিঘ্ন একীকরণের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যা ব্যাপক উৎপাদন সেটিংসে ব্যবহারের সহজতা নিশ্চিত করে।

VET Energy সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেটের একটি বিস্তৃত পোর্টফোলিও অফার করে, যার মধ্যে রয়েছে Si Wafer, SiC সাবস্ট্রেট, SOI ওয়াফার, SiN সাবস্ট্রেট, Epi ওয়াফার, গ্যালিয়াম অক্সাইড Ga2O3, এবং AlN ওয়াফার। আমাদের বৈচিত্র্যময় পণ্য লাইন বিভিন্ন ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের চাহিদা পূরণ করে, যেমন পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স থেকে শুরু করে RF এবং অপটোইলেকট্রনিক্স।

৬ ইঞ্চি আধা-অন্তরক SiC ওয়েফারের বেশ কিছু সুবিধা রয়েছে:
উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: SiC এর প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ সক্ষম করে, যা আরও কমপ্যাক্ট এবং দক্ষ পাওয়ার ডিভাইসের জন্য অনুমতি দেয়।
উচ্চ-তাপমাত্রায় অপারেশন: SiC-এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা উচ্চ তাপমাত্রায় অপারেশন সক্ষম করে, যা ডিভাইসের নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করে।
কম অন-রেজিস্ট্যান্স: SiC ডিভাইসগুলির কম অন-রেজিস্ট্যান্স দেখায়, যা বিদ্যুৎ ক্ষয় হ্রাস করে এবং শক্তির দক্ষতা উন্নত করে।

VET Energy আপনার নির্দিষ্ট প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য কাস্টমাইজেবল SiC ওয়েফার অফার করে, যার মধ্যে রয়েছে বিভিন্ন বেধ, ডোপিং স্তর এবং পৃষ্ঠের সমাপ্তি। আমাদের বিশেষজ্ঞ দল আপনার সাফল্য নিশ্চিত করতে প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং বিক্রয়োত্তর পরিষেবা প্রদান করে।

第6页-36
第6页-35

ওয়েফারিং স্পেসিফিকেশন

*n-Pm=n-টাইপ Pm-গ্রেড,n-Ps=n-টাইপ Ps-গ্রেড,Sl=সেমি-ইনসুলেটিং

আইটেম

৮-ইঞ্চি

৬-ইঞ্চি

৪-ইঞ্চি

এনপি

n-Pm

n-Ps সম্পর্কে

SI

SI

টিটিভি (জিবিআইআর)

≤৬উনিট

≤৬উনিট

বো (GF3YFCD)-পরম মান

≤১৫μm

≤১৫μm

≤২৫μm

≤১৫μm

ওয়ার্প(GF3YFER)

≤২৫μm

≤২৫μm

≤৪০μm

≤২৫μm

এলটিভি (এসবিআইআর)-১০ মিমিx১০ মিমি

<2μm

ওয়েফার এজ

বেভেলিং

সারফেস ফিনিশ

*n-Pm=n-টাইপ Pm-গ্রেড,n-Ps=n-টাইপ Ps-গ্রেড,Sl=সেমি-ইনসুলেটিং

আইটেম

৮-ইঞ্চি

৬-ইঞ্চি

৪-ইঞ্চি

এনপি

n-Pm

n-Ps সম্পর্কে

SI

SI

সারফেস ফিনিশ

ডাবল সাইড অপটিক্যাল পলিশ, সাই-ফেস সিএমপি

পৃষ্ঠের রুক্ষতা

(১০um x ১০um) সি-ফেসরা≤০.২nm
সি-ফেস রা≤ ০.৫nm

(৫umx৫um) সি-ফেস রা≤০.২nm
সি-ফেস Ra≤0.5nm

এজ চিপস

কোনটিই অনুমোদিত নয় (দৈর্ঘ্য এবং প্রস্থ≥0.5 মিমি)

ইন্ডেন্ট

কোনও অনুমতি নেই

স্ক্র্যাচ (সি-ফেস)

পরিমাণ ≤5, ক্রমবর্ধমান
দৈর্ঘ্য≤0.5×ওয়েফার ব্যাস

পরিমাণ ≤5, ক্রমবর্ধমান
দৈর্ঘ্য≤0.5×ওয়েফার ব্যাস

পরিমাণ ≤5, ক্রমবর্ধমান
দৈর্ঘ্য≤0.5×ওয়েফার ব্যাস

ফাটল

কোনও অনুমতি নেই

এজ এক্সক্লুশন

৩ মিমি

টেক_১_২_আকার
下载 (2)

  • আগে:
  • পরবর্তী:

  • হোয়াটসঅ্যাপ অনলাইন চ্যাট!