6 İnç Yarı Yalıtımlı SiC Wafer

Kısa Açıklama:

VET Energy 6 inç yarı yalıtkan silisyum karbür (SiC) gofret, çok çeşitli güç elektroniği uygulamaları için ideal olan yüksek kaliteli bir alt tabakadır. VET Energy, olağanüstü kristal kalitesi, düşük kusur yoğunluğu ve yüksek özdirençli SiC gofretleri üretmek için gelişmiş büyüme teknikleri kullanır.


Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

VET Energy'nin 6 inçlik Yarı Yalıtımlı SiC Plakası, üstün termal iletkenlik ve elektrik yalıtımı sunan yüksek güç ve yüksek frekans uygulamaları için gelişmiş bir çözümdür. Bu yarı yalıtımlı plakalar, RF amplifikatörleri, güç anahtarları ve diğer yüksek voltajlı bileşenler gibi cihazların geliştirilmesinde olmazsa olmazdır. VET Energy, tutarlı kalite ve performans sağlayarak bu plakaları çok çeşitli yarı iletken üretim süreçleri için ideal hale getirir.

Bu SiC gofretleri, olağanüstü yalıtım özelliklerine ek olarak, Si Gofret, SiC Alt Tabaka, SOI Gofret, SiN Alt Tabaka ve Epi Gofret gibi çeşitli malzemelerle uyumludur ve bu da onları farklı üretim süreçleri için çok yönlü hale getirir. Dahası, Galyum Oksit Ga2O3 ve AlN Gofret gibi gelişmiş malzemeler bu SiC gofretleriyle birlikte kullanılabilir ve bu da yüksek güçlü elektronik cihazlarda daha da fazla esneklik sağlar. Gofretler, Kaset sistemleri gibi endüstri standardı işleme sistemleriyle sorunsuz entegrasyon için tasarlanmıştır ve seri üretim ortamlarında kullanım kolaylığı sağlar.

VET Energy, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 ve AlN Wafer dahil olmak üzere kapsamlı bir yarı iletken substrat portföyü sunmaktadır. Çeşitli ürün yelpazemiz, güç elektroniğinden RF ve optoelektroniklere kadar çeşitli elektronik uygulamaların ihtiyaçlarını karşılamaktadır.

6 inç yarı izolasyonlu SiC yonga levha birçok avantaj sunar:
Yüksek arıza gerilimi: SiC'nin geniş bant aralığı daha yüksek arıza gerilimlerine olanak vererek daha kompakt ve verimli güç cihazlarının kullanılmasına olanak tanır.
Yüksek sıcaklıkta çalışma: SiC'nin mükemmel termal iletkenliği, daha yüksek sıcaklıklarda çalışmayı mümkün kılarak cihaz güvenilirliğini artırır.
Düşük açık direnç: SiC aygıtları daha düşük açık direnç sergileyerek güç kayıplarını azaltır ve enerji verimliliğini artırır.

VET Energy, farklı kalınlıklar, doping seviyeleri ve yüzey kaplamaları dahil olmak üzere özel gereksinimlerinizi karşılamak için özelleştirilebilir SiC gofretler sunar. Uzman ekibimiz, başarınızı garantilemek için teknik destek ve satış sonrası hizmet sağlar.

第6页-36
第6页-35

WAFERING ÖZELLİKLERİ

*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı-Yalıtımlı

Öğe

8 inç

6 inç

4 inç

nP

n-Pm

n-P'ler

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Yay(GF3YFCD)-Mutlak Değer

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Çarpıtma(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Gofret Kenarı

Pahlama

YÜZEY KAPLAMASI

*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı-Yalıtımlı

Öğe

8 inç

6 inç

4 inç

nP

n-Pm

n-P'ler

SI

SI

Yüzey Kaplama

Çift taraflı Optik Cila,Si-Yüz CMP

Yüzey Pürüzlülüğü

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Yüz Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Yüzey Ra≤0.2nm
C-Yüz Ra≤0.5nm

Kenar Çipleri

Hiçbiri İzin Verilmez (uzunluk ve genişlik ≥0,5 mm)

Girintiler

Hiçbirine İzin Verilmedi

Çizikler(Si-Face)

Miktar ≤5,Kümülatif
Uzunluk≤0,5×wafer çapı

Miktar ≤5,Kümülatif
Uzunluk≤0,5×wafer çapı

Miktar ≤5,Kümülatif
Uzunluk≤0,5×wafer çapı

Çatlaklar

Hiçbirine İzin Verilmedi

Kenar Dışlama

3mm

teknoloji_1_2_boyut
(2)

  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • WhatsApp Online Sohbet!