VET Energy'nin 6 inçlik Yarı Yalıtımlı SiC Plakası, üstün termal iletkenlik ve elektrik yalıtımı sunan yüksek güç ve yüksek frekans uygulamaları için gelişmiş bir çözümdür. Bu yarı yalıtımlı plakalar, RF amplifikatörleri, güç anahtarları ve diğer yüksek voltajlı bileşenler gibi cihazların geliştirilmesinde olmazsa olmazdır. VET Energy, tutarlı kalite ve performans sağlayarak bu plakaları çok çeşitli yarı iletken üretim süreçleri için ideal hale getirir.
Bu SiC gofretleri, olağanüstü yalıtım özelliklerine ek olarak, Si Gofret, SiC Alt Tabaka, SOI Gofret, SiN Alt Tabaka ve Epi Gofret gibi çeşitli malzemelerle uyumludur ve bu da onları farklı üretim süreçleri için çok yönlü hale getirir. Dahası, Galyum Oksit Ga2O3 ve AlN Gofret gibi gelişmiş malzemeler bu SiC gofretleriyle birlikte kullanılabilir ve bu da yüksek güçlü elektronik cihazlarda daha da fazla esneklik sağlar. Gofretler, Kaset sistemleri gibi endüstri standardı işleme sistemleriyle sorunsuz entegrasyon için tasarlanmıştır ve seri üretim ortamlarında kullanım kolaylığı sağlar.
VET Energy, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 ve AlN Wafer dahil olmak üzere kapsamlı bir yarı iletken substrat portföyü sunmaktadır. Çeşitli ürün yelpazemiz, güç elektroniğinden RF ve optoelektroniklere kadar çeşitli elektronik uygulamaların ihtiyaçlarını karşılamaktadır.
6 inç yarı izolasyonlu SiC yonga levha birçok avantaj sunar:
Yüksek arıza gerilimi: SiC'nin geniş bant aralığı daha yüksek arıza gerilimlerine olanak vererek daha kompakt ve verimli güç cihazlarının kullanılmasına olanak tanır.
Yüksek sıcaklıkta çalışma: SiC'nin mükemmel termal iletkenliği, daha yüksek sıcaklıklarda çalışmayı mümkün kılarak cihaz güvenilirliğini artırır.
Düşük açık direnç: SiC aygıtları daha düşük açık direnç sergileyerek güç kayıplarını azaltır ve enerji verimliliğini artırır.
VET Energy, farklı kalınlıklar, doping seviyeleri ve yüzey kaplamaları dahil olmak üzere özel gereksinimlerinizi karşılamak için özelleştirilebilir SiC gofretler sunar. Uzman ekibimiz, başarınızı garantilemek için teknik destek ve satış sonrası hizmet sağlar.
WAFERING ÖZELLİKLERİ
*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı-Yalıtımlı
| Öğe | 8 inç | 6 inç | 4 inç | ||
| nP | n-Pm | n-P'ler | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Yay(GF3YFCD)-Mutlak Değer | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Çarpıtma(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Gofret Kenarı | Pahlama | ||||
YÜZEY KAPLAMASI
*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı-Yalıtımlı
| Öğe | 8 inç | 6 inç | 4 inç | ||
| nP | n-Pm | n-P'ler | SI | SI | |
| Yüzey Kaplama | Çift taraflı Optik Cila,Si-Yüz CMP | ||||
| Yüzey Pürüzlülüğü | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Yüzey Ra≤0.2nm | |||
| Kenar Çipleri | Hiçbiri İzin Verilmez (uzunluk ve genişlik ≥0,5 mm) | ||||
| Girintiler | Hiçbirine İzin Verilmedi | ||||
| Çizikler(Si-Face) | Miktar ≤5,Kümülatif | Miktar ≤5,Kümülatif | Miktar ≤5,Kümülatif | ||
| Çatlaklar | Hiçbirine İzin Verilmedi | ||||
| Kenar Dışlama | 3mm | ||||
-
Vanadium akım pil takımı üreticisi...
-
PEM hücre gaz difüzyon tabakası platin kaplı ti...
-
Silisyum Karbür Kaplamalı Grafit Alt Tabaka
-
Hidrojen Yakıt Hücresi Yığını Gücü Yüksek Hassasiyetli H...
-
Su soğutmalı hidrojen yakıt hücreli motor...
-
Büyük Boy Yeniden Kristalleştirilmiş Silisyum Karbür Gofret...

