VET energiýasyndan 6 inç ýarym izolýasiýa SiC wafli, ýokary ýylylyk geçirijiligini we elektrik izolýasiýasyny hödürleýän ýokary güýçli we ýokary ýygylykly programmalar üçin ösen çözgütdir. Bu ýarym izolýasiýa wafli, RF güýçlendirijileri, tok wyklýuçatelleri we beýleki ýokary woltly komponentler ýaly enjamlary ösdürmekde möhümdir. VET Energy yzygiderli hil we öndürijiligi üpjün edýär, bu wafli ýarymgeçiriji ýasamak prosesleriniň giň topary üçin ideal edýär.
Ajaýyp izolýasiýa aýratynlyklaryndan başga-da, bu SiC wafli Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate we Epi Wafer ýaly dürli materiallar bilen utgaşýar we olary dürli önümçilik amallary üçin köp taraply edýär. Mundan başga-da, “Gallium Oxide Ga2O3” we “AlN Wafer” ýaly ösen materiallar bu SiC wafli bilen bilelikde ulanylyp, ýokary güýçli elektron enjamlarynda has çeýeligi üpjün edip biler. Wafli, köpçülikleýin önümçilik şertlerinde ulanmagyň aňsatlygyny üpjün edip, kaset ulgamlary ýaly senagat standart işleýiş ulgamlary bilen üznüksiz integrasiýa üçin niýetlenendir.
VET Energy, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 we AlN Wafer ýaly ýarymgeçiriji substratlaryň giňişleýin bukjasyny hödürleýär. Dürli önüm liniýamyz, elektronikadan başlap, RF we optoelektronika çenli dürli elektroniki programmalaryň isleglerini kanagatlandyrýar.
6 dýuým ýarym izolýasiýa SiC wafli birnäçe artykmaçlygy hödürleýär:
Breakokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesi: SiC-iň giň zolagy has ýokary bölüniş naprýa .eniýesini üpjün edýär, has ykjam we täsirli güýç enjamlaryna mümkinçilik berýär.
Temperatureokary temperaturaly iş: SiC-iň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi has ýokary temperaturada işlemäge mümkinçilik berýär we enjamyň ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.
Pes garşylyk: SiC enjamlary pes garşylygy görkezýär, güýç ýitgilerini azaldýar we energiýa netijeliligini ýokarlandyrýar.
VET Energy, dürli galyňlygy, doping derejesini we ýerüsti bezegleri goşmak bilen, aýratyn talaplaryňyza laýyk gelýän SiC wafli hödürleýär. Bilermenler toparymyz, üstünlikleriňizi üpjün etmek üçin tehniki goldaw we satuwdan soň hyzmat edýär.
WAFERING aýratynlyklary
* n-Pm = n görnüşli Pm-Grade, n-Ps = n görnüşli Ps-Grade, Sl = -arym lsulýasiýa
| Haryt | 8-inç | 6-inç | 4-inç | ||
| nP | n-Pm | n-Zeb | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Aý (GF3YFCD) - Jemi baha | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV (SBIR) -10mmx10mm | <2μm | ||||
| Wafer gyrasy | Beveling | ||||
SURFACE FINISH
* n-Pm = n görnüşli Pm-Grade, n-Ps = n görnüşli Ps-Grade, Sl = -arym lsulýasiýa
| Haryt | 8-inç | 6-inç | 4-inç | ||
| nP | n-Pm | n-Zeb | SI | SI | |
| Surface Finish | Iki taraplaýyn optiki polýak, Si-Face CMP | ||||
| SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Gyrasy çipleri | Hiç birine rugsat berilmedi (uzynlygy we ini≥0.5mm) | ||||
| Görkezmeler | Hiç birine rugsat berilmedi | ||||
| Dyrnaklar (Si-Face) | 5-nji kwartal | 5-nji kwartal | 5-nji kwartal | ||
| Acksaryklar | Hiç birine rugsat berilmedi | ||||
| Gyradan çykarmak | 3mm | ||||
-
Wanadiý akymynyň batareýa paketini öndüriji ...
-
PEM öýjükli gazyň diffuziýa gatlagy platina bilen örtülen ...
-
S üçin kremniý karbid bilen örtülen grafit substraty ...
-
Wodorod ýangyç öýjükli stakanyň güýji ýokary takyklyk H ...
-
Suw sowadylan wodorod ýangyç öýjük dwigateli ...
-
Uly ölçegli kremniy karbid wafli ...

