Der 6-Zoll-Halbisolier-SiC-Wafer von VET Energy ist eine fortschrittliche Lösung für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen und bietet hervorragende Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung. Diese Halbisolier-Wafer sind unverzichtbar für die Entwicklung von Geräten wie HF-Verstärkern, Leistungsschaltern und anderen Hochspannungskomponenten. VET Energy gewährleistet gleichbleibende Qualität und Leistung und eignet sich daher ideal für eine Vielzahl von Halbleiterfertigungsprozessen.
Neben ihren hervorragenden Isolationseigenschaften sind diese SiC-Wafer mit einer Vielzahl von Materialien kompatibel, darunter Si-Wafer, SiC-Substrate, SOI-Wafer, SiN-Substrate und Epi-Wafer. Dadurch eignen sie sich vielseitig für verschiedene Fertigungsprozesse. Darüber hinaus können moderne Materialien wie Galliumoxid (Ga2O3) und AlN-Wafer in Kombination mit diesen SiC-Wafern verwendet werden, was für noch mehr Flexibilität bei Hochleistungselektronikgeräten sorgt. Die Wafer sind für die nahtlose Integration in branchenübliche Handhabungssysteme wie Kassettensysteme ausgelegt und gewährleisten so eine einfache Handhabung in der Massenproduktion.
VET Energy bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleitersubstraten, darunter Si-Wafer, SiC-Substrate, SOI-Wafer, SiN-Substrate, Epi-Wafer, Galliumoxid-Ga2O3 und AlN-Wafer. Unsere vielfältige Produktlinie deckt die Anforderungen verschiedener elektronischer Anwendungen ab, von der Leistungselektronik über HF bis hin zur Optoelektronik.
6-Zoll-halbisolierende SiC-Wafer bieten mehrere Vorteile:
Hohe Durchbruchspannung: Die große Bandlücke von SiC ermöglicht höhere Durchbruchspannungen und damit kompaktere und effizientere Leistungsgeräte.
Hochtemperaturbetrieb: Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von SiC ermöglicht einen Betrieb bei höheren Temperaturen und verbessert so die Gerätezuverlässigkeit.
Niedriger Einschaltwiderstand: SiC-Geräte weisen einen geringeren Einschaltwiderstand auf, wodurch Leistungsverluste reduziert und die Energieeffizienz verbessert werden.
VET Energy bietet individuell anpassbare SiC-Wafer für Ihre spezifischen Anforderungen, einschließlich unterschiedlicher Dicken, Dotierungsgrade und Oberflächenbeschaffenheiten. Unser Expertenteam bietet technischen Support und Kundendienst für Ihren Erfolg.
WAFERINGSSPEZIFIKATIONEN
*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend
| Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 µm | ≤6 µm | |||
| Bow(GF3YFCD)-Absoluter Wert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Waferkante | Abschrägung | ||||
OBERFLÄCHENBEARBEITUNG
*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend
| Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Oberflächenbeschaffenheit | Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP | ||||
| Oberflächenrauheit | (10µm x 10µm) Si-FlächeRa≤0,2nm | (5µm x 5µm) Si-Fläche Ra≤0,2nm | |||
| Kantensplitter | Keine zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm) | ||||
| Einrückungen | Keine erlaubt | ||||
| Kratzer (Si-Face) | Menge ≤5, kumulativ | Menge ≤5, kumulativ | Menge ≤5, kumulativ | ||
| Risse | Keine erlaubt | ||||
| Kantenausschluss | 3 mm | ||||
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