6인치 반절연 SiC 웨이퍼

간단한 설명:

VET Energy의 6인치 반절연 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼는 광범위한 전력 전자 응용 분야에 적합한 고품질 기판입니다. VET Energy는 첨단 성장 기술을 사용하여 탁월한 결정 품질, 낮은 결함 밀도, 높은 저항률을 가진 SiC 웨이퍼를 생산합니다.


제품 상세 정보

제품 태그

VET 에너지의 6인치 반절연 SiC 웨이퍼는 고전력 및 고주파 애플리케이션을 위한 첨단 솔루션으로, 뛰어난 열전도도와 전기 절연성을 제공합니다. 이 반절연 ​​웨이퍼는 RF 증폭기, 전력 스위치 및 기타 고전압 부품과 같은 장치 개발에 필수적입니다. VET 에너지는 일관된 품질과 성능을 보장하여 다양한 반도체 제조 공정에 이상적인 웨이퍼를 제공합니다.

뛰어난 절연 특성 외에도, 이 SiC 웨이퍼는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판, Epi 웨이퍼 등 다양한 소재와 호환되어 다양한 제조 공정에 유연하게 활용할 수 있습니다. 또한, 산화갈륨(Ga2O3) 및 AlN 웨이퍼와 같은 첨단 소재를 이 SiC 웨이퍼와 함께 사용할 수 있어 고전력 전자 소자의 유연성을 더욱 높여줍니다. 이 웨이퍼는 카세트 시스템과 같은 산업 표준 처리 시스템과 완벽하게 통합되도록 설계되어 대량 생산 환경에서의 사용 편의성을 보장합니다.

VET 에너지는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판, Epi 웨이퍼, 산화갈륨(Ga2O3), AlN 웨이퍼 등 다양한 반도체 기판 포트폴리오를 제공합니다. 당사의 다양한 제품 라인은 전력 전자부터 RF 및 광전자에 이르기까지 다양한 전자 응용 분야의 요구를 충족합니다.

6인치 반절연 SiC 웨이퍼는 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.
높은 파괴 전압: SiC의 넓은 밴드갭은 더 높은 파괴 전압을 가능하게 하여 더욱 작고 효율적인 전력 장치를 구현할 수 있습니다.
고온 작동: SiC의 뛰어난 열전도성으로 인해 더 높은 온도에서 작동이 가능해져 장치의 신뢰성이 향상됩니다.
낮은 저항: SiC 소자는 낮은 저항을 나타내어 전력 손실을 줄이고 에너지 효율을 향상시킵니다.

VET Energy는 다양한 두께, 도핑 레벨, 표면 마감 등 고객의 특정 요구 사항을 충족하는 맞춤형 SiC 웨이퍼를 제공합니다. 당사의 전문가 팀은 고객의 성공을 보장하기 위해 기술 지원 및 애프터서비스를 제공합니다.

6장-36절
제6장-35절

웨이퍼링 사양

*n-Pm=n형 Pm등급,n-Ps=n형 Ps등급,Sl=반절연

8인치

6인치

4인치

엔피

n-오후

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-절대값

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

워프(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

웨이퍼 엣지

베벨링

표면 마감

*n-Pm=n형 Pm등급,n-Ps=n형 Ps등급,Sl=반절연

8인치

6인치

4인치

엔피

n-오후

n-Ps

SI

SI

표면 마감

양면 광학 연마, Si-Face CMP

표면 거칠기

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

엣지 칩스

허용되지 않음(길이 및 너비≥0.5mm)

들여쓰기

허용되지 않음

스크래치(Si-Face)

수량≤5,누적
길이≤0.5×웨이퍼 직경

수량≤5,누적
길이≤0.5×웨이퍼 직경

수량≤5,누적
길이≤0.5×웨이퍼 직경

균열

허용되지 않음

에지 제외

3mm

기술_1_2_크기
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