Den 6-tommers halvisolerende SiC-waferen fra VET Energy er en avansert løsning for høyeffekts- og høyfrekvente applikasjoner, og tilbyr overlegen varmeledningsevne og elektrisk isolasjon. Disse halvisolerende waferne er essensielle i utviklingen av enheter som RF-forsterkere, strømbrytere og andre høyspenningskomponenter. VET Energy sikrer jevn kvalitet og ytelse, noe som gjør disse waferne ideelle for et bredt spekter av halvlederfabrikasjonsprosesser.
I tillegg til sine enestående isolerende egenskaper, er disse SiC-wafere kompatible med en rekke materialer, inkludert Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat og Epi-wafer, noe som gjør dem allsidige for ulike typer produksjonsprosesser. Dessuten kan avanserte materialer som galliumoksid Ga2O3 og AlN-wafer brukes i kombinasjon med disse SiC-wafere, noe som gir enda større fleksibilitet i elektroniske enheter med høy effekt. Wafere er designet for sømløs integrering med industristandard håndteringssystemer som kassettsystemer, noe som sikrer enkel bruk i masseproduksjonssammenhenger.
VET Energy tilbyr en omfattende portefølje av halvledersubstrater, inkludert Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat, Epi-wafer, galliumoksid Ga2O3 og AlN-wafer. Vårt varierte produktsortiment dekker behovene til ulike elektroniske applikasjoner, fra kraftelektronikk til RF og optoelektronikk.
6-tommers halvisolerende SiC-wafer tilbyr flere fordeler:
Høy gjennomslagsspenning: Det brede båndgapet til SiC muliggjør høyere gjennomslagsspenninger, noe som gir mulighet for mer kompakte og effektive kraftenheter.
Høytemperaturdrift: SiCs utmerkede varmeledningsevne muliggjør drift ved høyere temperaturer, noe som forbedrer enhetens pålitelighet.
Lav på-motstand: SiC-enheter viser lavere på-motstand, noe som reduserer effekttap og forbedrer energieffektiviteten.
VET Energy tilbyr tilpassbare SiC-wafere for å møte dine spesifikke krav, inkludert forskjellige tykkelser, dopingnivåer og overflatebehandlinger. Vårt ekspertteam tilbyr teknisk støtte og ettersalgsservice for å sikre din suksess.
SPESIFIKASJONER FOR VAFFERING
*n-Pm=n-type Pm-kvalitet, n-Ps=n-type Ps-kvalitet, Sl=Halvisolerende
| Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bue(GF3YFCD) – Absolutt verdi | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Varp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Waferkant | Avfasing | ||||
OVERFLATEFINISH
*n-Pm=n-type Pm-kvalitet, n-Ps=n-type Ps-kvalitet, Sl=Halvisolerende
| Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Overflatebehandling | Dobbeltsidig optisk polering, Si-Face CMP | ||||
| Overflateruhet | (10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Kantbrikker | Ingen tillatt (lengde og bredde ≥0,5 mm) | ||||
| Innrykk | Ingen tillatt | ||||
| Riper (Si-Face) | Antall ≤5, Kumulativ | Antall ≤5, Kumulativ | Antall ≤5, Kumulativ | ||
| Sprekker | Ingen tillatt | ||||
| Kantekskludering | 3 mm | ||||
-
Produsent av vanadiumstrømbatteripakker...
-
PEM-celle gassdiffusjonslag platinabelagt ti...
-
Silisiumkarbidbelagt grafittsubstrat for silisiumkarbid...
-
Hydrogenbrenselcelle Stack Power Høypresisjons H...
-
Vannkjølt hydrogenbrenselcellemotor uten...
-
Stor størrelse omkrystallisert silisiumkarbid wafer...

