6-tommers halvisolerende SiC-wafer

Kort beskrivelse:

VET Energys 6-tommers halvisolerende silisiumkarbid (SiC)-wafer er et høykvalitetssubstrat som er ideelt for et bredt spekter av kraftelektroniske applikasjoner. VET Energy benytter avanserte vekstteknikker for å produsere SiC-wafere med eksepsjonell krystallkvalitet, lav defekttetthet og høy resistivitet.


Produktdetaljer

Produktetiketter

Den 6-tommers halvisolerende SiC-waferen fra VET Energy er en avansert løsning for høyeffekts- og høyfrekvente applikasjoner, og tilbyr overlegen varmeledningsevne og elektrisk isolasjon. Disse halvisolerende waferne er essensielle i utviklingen av enheter som RF-forsterkere, strømbrytere og andre høyspenningskomponenter. VET Energy sikrer jevn kvalitet og ytelse, noe som gjør disse waferne ideelle for et bredt spekter av halvlederfabrikasjonsprosesser.

I tillegg til sine enestående isolerende egenskaper, er disse SiC-wafere kompatible med en rekke materialer, inkludert Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat og Epi-wafer, noe som gjør dem allsidige for ulike typer produksjonsprosesser. Dessuten kan avanserte materialer som galliumoksid Ga2O3 og AlN-wafer brukes i kombinasjon med disse SiC-wafere, noe som gir enda større fleksibilitet i elektroniske enheter med høy effekt. Wafere er designet for sømløs integrering med industristandard håndteringssystemer som kassettsystemer, noe som sikrer enkel bruk i masseproduksjonssammenhenger.

VET Energy tilbyr en omfattende portefølje av halvledersubstrater, inkludert Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat, Epi-wafer, galliumoksid Ga2O3 og AlN-wafer. Vårt varierte produktsortiment dekker behovene til ulike elektroniske applikasjoner, fra kraftelektronikk til RF og optoelektronikk.

6-tommers halvisolerende SiC-wafer tilbyr flere fordeler:
Høy gjennomslagsspenning: Det brede båndgapet til SiC muliggjør høyere gjennomslagsspenninger, noe som gir mulighet for mer kompakte og effektive kraftenheter.
Høytemperaturdrift: SiCs utmerkede varmeledningsevne muliggjør drift ved høyere temperaturer, noe som forbedrer enhetens pålitelighet.
Lav på-motstand: SiC-enheter viser lavere på-motstand, noe som reduserer effekttap og forbedrer energieffektiviteten.

VET Energy tilbyr tilpassbare SiC-wafere for å møte dine spesifikke krav, inkludert forskjellige tykkelser, dopingnivåer og overflatebehandlinger. Vårt ekspertteam tilbyr teknisk støtte og ettersalgsservice for å sikre din suksess.

第6页-36
第6页-35

SPESIFIKASJONER FOR VAFFERING

*n-Pm=n-type Pm-kvalitet, n-Ps=n-type Ps-kvalitet, Sl=Halvisolerende

Punkt

8-tommers

6-tommers

4-tommers

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Bue(GF3YFCD) – Absolutt verdi

≤15 μm

≤15 μm

≤25 μm

≤15 μm

Varp (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm

<2 μm

Waferkant

Avfasing

OVERFLATEFINISH

*n-Pm=n-type Pm-kvalitet, n-Ps=n-type Ps-kvalitet, Sl=Halvisolerende

Punkt

8-tommers

6-tommers

4-tommers

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Overflatebehandling

Dobbeltsidig optisk polering, Si-Face CMP

Overflateruhet

(10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5 nm

Kantbrikker

Ingen tillatt (lengde og bredde ≥0,5 mm)

Innrykk

Ingen tillatt

Riper (Si-Face)

Antall ≤5, Kumulativ
Lengde ≤0,5 × skivediameter

Antall ≤5, Kumulativ
Lengde ≤0,5 × skivediameter

Antall ≤5, Kumulativ
Lengde ≤0,5 × skivediameter

Sprekker

Ingen tillatt

Kantekskludering

3 mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Tidligere:
  • Neste:

  • WhatsApp online chat!