SiC קאָוטינג באדעקט פון גראַפיט סאַבסטראַט פֿאַר האַלב-קאָנדוקטאָר, סיליקאָן קאַרבייד קאָוטינג, MOCVD סאַסעפּטאָר

קורצע באַשרייַבונג:

SiC באַשיטונג פון גראַפיט סאַבסטראַט פֿאַר האַלב-קאָנדוקטאָר אַפּלאַקיישאַנז פּראָדוצירט אַ טייל מיט העכערער ריינקייט און קעגנשטעל צו אַקסאַדירנדיקער אַטמאָספער. CVD SiC אָדער CVI SiC ווערט געווענדט צו גראַפיט פון פּשוטע אָדער קאָמפּלעקסע טיילן. באַשיטונג קען ווערן געווענדט אין פֿאַרשידענע גרעב און צו זייער גרויסע טיילן.

אָרט פון אָפּשטאַם:זשעדזשיאַנג, טשיינאַ (מאַינלאַנד)

מאָדעל נומער:מאָדעל נומער:

כעמישע צוזאמענשטעלונג:SiC באדעקטע גראַפיט

בייג שטאַרקייט:470Mpa

טערמישע קאַנדאַקטיוויטי:300 וואט/מיליקאלקולאט

קוואַליטעט:פערפעקט

פונקציע:CVD-SiC

אַפּליקאַציע:האַלב-קאָנדוקטאָר / פאָטאָוואָלטאַיק

געדיכטקייט:3.21 ג/קוביק סענטימעטער

טערמישע אויסברייטונג:4 10-6/K

אש: <5ppm

מוסטער:פאַראַן

HS קאָד:6903100000

שיקט אַן אימעיל צו אונדז אראָפּלאָדן ווי PDF

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

SiC קאָוטינג באדעקט פוןגראַפיט סאַבסטראַט פֿאַר האַלב-קאָנדוקטאָרסיליקאָן קאַרבייד קאָוטינג,MOCVD סאַסעפּטאָר,
גראַפיט סאַבסטראַט, גראַפיט סאַבסטראַט פֿאַר האַלב-קאָנדוקטאָר, MOCVD סאַסעפּטאָר, סיליקאָן קאַרבייד קאָוטינג,

ספּעציעלע מעלות פון אונדזערע SiC-באדעקטע גראַפיט סאַסעפּטאָרס אַרייַננעמען גאָר הויך ריינקייט, האָמאָגענע קאָוטינג און אַן אויסגעצייכנט סערוויס לעבן. זיי האָבן אויך הויך כעמיש קעגנשטעל און טערמישע פעסטקייט פּראָפּערטיעס.

SiC קאָוטינג פוןגראַפיט סאַבסטראַטפֿאַר האַלב-קאָנדוקטאָר אַפּלאַקיישאַנז פּראָדוצירט אַ טייל מיט העכער ריינקייט און קעגנשטעל צו אַקסאַדייזינג אַטמאָספער.
CVD SiC אדער CVI SiC ווערט געווענדט צו גראַפיט פון פּשוטע אָדער קאָמפּליצירטע טיילן. די קאָוטינג קען ווערן געווענדט אין פֿאַרשידענע גרעב און צו זייער גרויסע טיילן.

SiC קאָוטינג/קאָוטאַד MOCVD סאַסעפּטאָר

פֿעיִקייטן:
· אויסגעצייכנט טערמישע קלאַפּ קעגנשטעל
· אויסגעצייכנטע פיזישע שאָק קעגנשטעל
· אויסגעצייכנטע כעמישער קעגנשטעל
· סופּער הויך ריינקייט
· פאַראַנען אין קאָמפּלעקס פאָרעם
· נוצלעך אונטער אָקסידירנדיקער אַטמאָספֿערע

טיפּישע אייגנשאַפטן פון באַזע גראַפיט מאַטעריאַל:

אויסזעענדיקע געדיכטקייט:	1.85 ג/קמ3
עלעקטרישע קעגנשטעל:	11 מיקראָמאָם
בייגונג שטאַרקייט:	49 MPa (500kgf/cm²)
ברעג כאַרדנאַס:	58
אש:	<5ppm
טערמישע קאַנדאַקטיוויטי:	116 וואט/מיליקאַלאָריע (100 קאַלאָריעס/מ״ר-℃)

קאַרבאָן צושטעלט סוסעפּטאָרס און גראַפיט קאָמפּאָנענטן פֿאַר אַלע איצטיקע עפּיטאַקסי רעאַקטאָרן. אונדזער פּאָרטפאָליאָ כולל בעראַל סוסעפּטאָרס פֿאַר אַפּפּליעד און LPE וניץ, פּאַנקייק סוסעפּטאָרס פֿאַר LPE, CSD, און דזשעמיני וניץ, און איין-ווייפער סוסעפּטאָרס פֿאַר אַפּפּליעד און ASM וניץ. דורך קאַמביינינג שטאַרקע פּאַרטנערשיפּס מיט לידינג OEMs, מאַטעריאַל עקספּערטיז און מאַנופאַקטורינג וויסן-ווי, SGL אָפפערס די אָפּטימאַל פּלאַן פֿאַר דיין אַפּלאַקיישאַן.

SiC קאָוטינג/קאָוטאַד MOCVD סאַסעפּטאָר