SiC-belægning belagt medGrafitsubstrat til halvledereSiliciumcarbidbelægning,MOCVD-modtager,
Grafitsubstrat, Grafitsubstrat til halvledere, MOCVD-modtager, Siliciumcarbidbelægning,

Særlige fordele ved vores SiC-belagte grafitsusceptorer inkluderer ekstremt høj renhed, homogen belægning og en fremragende levetid. De har også høj kemisk resistens og termisk stabilitet.

SiC-belægning afGrafitsubstratTil halvlederapplikationer producerer en del med overlegen renhed og modstandsdygtighed over for oxiderende atmosfære.
CVD SiC eller CVI SiC påføres grafit i simple eller komplekse designdele. Belægningen kan påføres i varierende tykkelser og på meget store dele.

Funktioner:
· Fremragende modstandsdygtighed over for termisk stød
· Fremragende fysisk stødmodstand
· Fremragende kemisk resistens
· Super høj renhed
· Tilgængelighed i kompleks form
· Kan bruges under oxiderende atmosfære

Typiske egenskaber ved basisgrafitmateriale:

Carbon leverer susceptorer og grafitkomponenter til alle nuværende epitaksireaktorer. Vores portefølje omfatter tøndesusceptorer til anvendte og LPE-enheder, pandekagesusceptorer til LPE-, CSD- og Gemini-enheder og single-wafer-susceptorer til anvendte og ASM-enheder. Ved at kombinere stærke partnerskaber med førende OEM'er, materialeekspertise og produktionsknowhow tilbyder SGL det optimale design til din applikation.

Flere produkter