Lớp phủ SiC phủ trên chất nền Graphite cho chất bán dẫn, lớp phủ silicon carbide, chất hấp thụ MOCVD

Mô tả ngắn gọn:

Lớp phủ SiC trên nền than chì dùng trong ứng dụng bán dẫn tạo ra linh kiện có độ tinh khiết cao và khả năng chống lại môi trường oxy hóa. SiC CVD hoặc SiC CVI được phủ lên than chì của các linh kiện có thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng với độ dày khác nhau và cho các linh kiện rất lớn.


  • Nơi xuất xứ:Chiết Giang, Trung Quốc (đại lục)
  • Mã số sản phẩm:Mã số sản phẩm:
  • Thành phần hóa học:Than chì phủ SiC
  • Sức bền uốn:470Mpa
  • Độ dẫn nhiệt:300 W/mK
  • Chất lượng:Hoàn hảo
  • Chức năng:CVD-SiC
  • Ứng dụng:Bán dẫn / Quang điện
  • Tỉ trọng:3,21 g/cc
  • Sự giãn nở nhiệt:4 10-6/K
  • Tro: <5ppm
  • Vật mẫu:Có sẵn
  • Mã HS:6903100000
  • Chi tiết sản phẩm

    Thẻ sản phẩm

    Lớp phủ SiC được phủ bởiChất nền than chì cho chất bán dẫnLớp phủ cacbua silic,Bộ phận tiếp nhận MOCVD,
    Chất nền than chì, Chất nền than chì cho chất bán dẫn, Bộ phận tiếp nhận MOCVD, Lớp phủ cacbua silic,

    Mô tả sản phẩm

    Những ưu điểm đặc biệt của thanh gia nhiệt bằng than chì phủ SiC của chúng tôi bao gồm độ tinh khiết cực cao, lớp phủ đồng nhất và tuổi thọ sử dụng tuyệt vời. Chúng cũng có khả năng kháng hóa chất cao và tính ổn định nhiệt tốt.

    Lớp phủ SiC củaChất nền than chìĐối với các ứng dụng bán dẫn, sản phẩm này được tạo ra với độ tinh khiết vượt trội và khả năng chống lại môi trường oxy hóa.
    Lớp phủ SiC CVD hoặc SiC CVI được áp dụng lên than chì của các chi tiết có thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng với độ dày khác nhau và cho các chi tiết rất lớn.

    Lớp phủ SiC/Giá đỡ MOCVD được phủ SiC

    Đặc trưng:
    • Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
    • Khả năng chống sốc vật lý tuyệt vời
    • Khả năng kháng hóa chất tuyệt vời
    • Độ tinh khiết cực cao
    • Có sẵn ở dạng phức tạp
    • Có thể sử dụng được trong môi trường oxy hóa

     

    Các đặc tính điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

    Mật độ biểu kiến: 1,85 g/cm3
    Điện trở suất: 11 μΩm
    Sức mạnh uốn cong: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Độ cứng Shore: 58
    Tro: <5ppm
    Độ dẫn nhiệt: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Carbon cung cấp các chất hấp thụ và các thành phần than chì cho tất cả các lò phản ứng epitaxy hiện hành. Danh mục sản phẩm của chúng tôi bao gồm các chất hấp thụ hình trụ cho các thiết bị ứng dụng và LPE, chất hấp thụ hình bánh cho các thiết bị LPE, CSD và Gemini, và chất hấp thụ đơn wafer cho các thiết bị ứng dụng và ASM. Bằng cách kết hợp mối quan hệ đối tác mạnh mẽ với các nhà sản xuất thiết bị gốc hàng đầu, chuyên môn về vật liệu và bí quyết sản xuất, SGL cung cấp thiết kế tối ưu cho ứng dụng của bạn.

    Lớp phủ SiC/Giá đỡ MOCVD được phủ SiCLớp phủ SiC/Giá đỡ MOCVD được phủ SiC

    Lớp phủ SiC/Giá đỡ MOCVD được phủ SiCLớp phủ SiC/Giá đỡ MOCVD được phủ SiC

    Thêm sản phẩm

    Lớp phủ SiC/Giá đỡ MOCVD được phủ SiC

    Thông tin công ty

    111

    Thiết bị nhà máy

    222

    Kho

    333

    Chứng chỉ

    Chứng nhận22

    Câu hỏi thường gặp

     


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến qua WhatsApp!