Lớp phủ SiC được phủ bằngChất nền than chì cho chất bán dẫn,Lớp phủ silicon carbide,MOCVD Susceptor,
Chất nền than chì, Chất nền than chì cho chất bán dẫn, MOCVD Susceptor, Lớp phủ Silicon Carbide,

Ưu điểm đặc biệt của vật liệu graphite phủ SiC của chúng tôi bao gồm độ tinh khiết cực cao, lớp phủ đồng nhất và tuổi thọ tuyệt vời. Chúng cũng có khả năng chống hóa chất và tính ổn định nhiệt cao.

Lớp phủ SiC củaChất nền than chìcho các ứng dụng bán dẫn tạo ra một bộ phận có độ tinh khiết cao và khả năng chống lại môi trường oxy hóa.
CVD SiC hoặc CVI SiC được áp dụng cho Graphite của các bộ phận thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng ở nhiều độ dày khác nhau và cho các bộ phận rất lớn.

Đặc trưng:
· Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
· Khả năng chống va đập vật lý tuyệt vời
· Khả năng kháng hóa chất tuyệt vời
· Độ tinh khiết cực cao
· Có sẵn trong hình dạng phức tạp
· Có thể sử dụng trong môi trường oxy hóa

Tính chất điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

Carbon cung cấp susceptor và các thành phần graphite cho tất cả các lò phản ứng epitaxy hiện tại. Danh mục đầu tư của chúng tôi bao gồm các susceptor dạng thùng cho các đơn vị ứng dụng và LPE, các susceptor dạng bánh kếp cho các đơn vị LPE, CSD và Gemini, và các susceptor dạng tấm đơn cho các đơn vị ứng dụng và ASM. Bằng cách kết hợp các mối quan hệ đối tác chặt chẽ với các OEM hàng đầu, chuyên môn về vật liệu và bí quyết sản xuất, SGL cung cấp thiết kế tối ưu cho ứng dụng của bạn.

Thêm sản phẩm