dahaarka SiC ee lagu dahaadhaySubstrate-ka Graphite ee Semiconductor-ka, Dahaarka silikoon carbide,Sumeeyaha MOCVD,
Substrate-ka garaafiga, Substrate-ka Graphite ee Semiconductor-ka, Sumeeyaha MOCVD, Dahaarka Silikoon Carbide,

Faa'iidooyinka gaarka ah ee susceptors-ka graphite-ka ee SiC-da ku dahaaran waxaa ka mid ah daahirnimo aad u sarreysa, dahaadh isku mid ah iyo cimri adeeg oo aad u wanaagsan. Waxay sidoo kale leeyihiin iska caabin kiimiko oo sare iyo sifooyin xasillooni kuleyl.

Dahaarka SiC eeSubstrate-ka garaafigaCodsiyada Semiconductor-ka waxay soo saaraan qayb leh daahirnimo sare iyo iska caabin jawiga oksaydhka.
CVD SiC ama CVI SiC waxaa lagu dabaqaa Graphite-ka qaybaha naqshadaha fudud ama kuwa adag. Dahaarka waxaa lagu dabaqi karaa dhumucyo kala duwan iyo qaybo aad u waaweyn.

Astaamaha:
· Iska caabinta Shoogga Kulaylka oo Aad u Fiican
· Iska caabinta Shoogga Jirka ee aadka u Fiican
· Iska caabinta Kiimikada ee aadka u Fiican
· Nadiifin Sare oo Aad u Sareysa
· Helitaanka qaab adag
· Loo isticmaali karo marka la eego jawiga oksaydhaynta

Sifooyinka Caadiga ah ee Walxaha Garaafiga Saldhigga ah:

Kaarboonku wuxuu bixiyaa walxaha suuska iyo qaybaha garaafka ee dhammaan fal-galayaasha epitaxy ee hadda jira. Faylalkayagu waxay ka kooban yihiin suuska foosto ee unugyada la dabaqay iyo kuwa LPE, suuska pancake ee cutubyada LPE, CSD, iyo Gemini, iyo suuska hal-wafer ee cutubyada la dabaqay iyo kuwa ASM. Iyada oo la isku darayo iskaashi xooggan oo lala yeesho OEM-yada hormuudka ka ah, khibradda agabka iyo aqoonta wax soo saarka, SGL waxay bixisaa naqshadda ugu habboon ee codsigaaga.

Badeecooyin Dheeraad ah