Ярымүткәргеч, кремний карбид каплавы, MOCVD Susceptor өчен графит субстратыннан капланган SiC каплавы

Кыскача тасвирлама:

Ярымүткәргечләр өчен графит субстратын SiC белән каплау югары сыйфатлы һәм оксидлашу атмосферасына чыдам детальләр җитештерә. CVD SiC яки CVI SiC гади яки катлаулы конструкцияле детальләрнең графитына кулланыла. Каплау төрле калынлыкларда һәм бик зур детальләргә кулланылырга мөмкин.


  • Чыгыш урыны:Чжэцзян, Китай (материк)
  • Модель номеры:Модель номеры:
  • Химик состав:SiC белән капланган графит
  • Бөгелү көче:470 МПа
  • Җылылык үткәрүчәнлеге:300 Вт/мК
  • Сыйфат:Камил
  • Функция:CVD-SiC
  • Кушымта:Ярымүткәргеч / Фотоэлектрик
  • Тыгызлык:3,21 г/см³
  • Термик киңәю:4 10-6/K
  • Көл: <5ppm
  • Үрнәк:Мөмкин
  • HS коды:6903100000
  • Продукт детальләре

    Продукт теглары

    SiC каплавы белән капланганЯрымүткәргеч өчен графит субстраты,Кремний карбиды каплавы,MOCVD Сусцепторы,
    Графит субстраты, Ярымүткәргеч өчен графит субстраты, MOCVD Сусцепторы, Кремний карбиды каплавы,

    Продукция тасвирламасы

    SiC белән капланган графит сусцепторларының аерым өстенлекләре арасында гаять югары чисталык, бер төрле каплау һәм бик яхшы хезмәт итү вакыты бар. Алар шулай ук ​​югары химик каршылык һәм термик тотрыклылык үзлекләренә ия.

    SiC каплавыГрафит субстратыярымүткәргеч кушымталары өчен югары сыйфатлы һәм оксидлашучы атмосферага чыдам деталь җитештерә.
    CVD SiC яки CVI SiC гади яки катлаулы конструкцияле детальләрнең графитына кулланыла. Каплау төрле калынлыкларда һәм бик зур детальләргә кулланылырга мөмкин.

    SiC каплавы/капланган MOCVD Susceptor

    Үзенчәлекләре:
    · Термик шокка бик чыдам
    · Бик яхшы физик бәрелүгә чыдамлык
    · Бик яхшы химик каршылык
    · Супер югары сафлык
    · Катлаулы формада булу
    · Оксидлашучы атмосферада кулланырга мөмкин

     

    Графит нигез материалының типик үзенчәлекләре:

    Күренмә тыгызлык: 1,85 г/см3
    Электр каршылыгы: 11 мкΩм
    Бөгелү көче: 49 МПа (500 кгс/см2)
    Яр катылыгы: 58
    Көл: <5ppm
    Җылылык үткәрүчәнлеге: 116 Вт/мК (100 ккал/м3-℃)

    Карбон барлык хәзерге эпитакси реакторлары өчен сусепторлар һәм графит компонентлары белән тәэмин итә. Безнең портфолиога кулланылган һәм LPE җайланмалары өчен цилиндрлы сусепторлар, LPE, CSD һәм Gemini җайланмалары өчен коймаклы сусепторлар, һәм кулланылган һәм ASM җайланмалары өчен бер вафлилы сусепторлар керә. Алдынгы OEM җитештерүчеләр белән ныклы партнерлыкны, материаллар буенча экспертизаны һәм җитештерү ноу-хаусын берләштереп, SGL сезнең кулланылышыгыз өчен оптималь дизайн тәкъдим итә.

    SiC каплавы/капланган MOCVD SusceptorSiC каплавы/капланган MOCVD Susceptor

    SiC каплавы/капланган MOCVD SusceptorSiC каплавы/капланган MOCVD Susceptor

    Күбрәк продуктлар

    SiC каплавы/капланган MOCVD Susceptor

    Компания турында мәгълүмат

    111

    Завод җиһазлары

    222

    Склад

    333

    Сертификатлар

    Сертификатлар22

    еш бирелә торган сораулар

     


  • Алдагысы:
  • Киләсе:

  • WhatsApp онлайн чаты!