SiC prevleka, prevlečena zGrafitni substrat za polprevodnike,Premaz iz silicijevega karbida,MOCVD susceptor,
Grafitni substrat, Grafitni substrat za polprevodnike, MOCVD susceptor, Premaz iz silicijevega karbida,

Posebne prednosti naših grafitnih susceptorjev s prevleko SiC vključujejo izjemno visoko čistost, homogen premaz in odlično življenjsko dobo. Imajo tudi visoko kemično odpornost in toplotno stabilnost.

SiC prevlekaGrafitni substratza polprevodniške aplikacije proizvaja del z vrhunsko čistostjo in odpornostjo na oksidativno atmosfero.
CVD SiC ali CVI SiC se nanaša na grafit enostavnih ali kompleksnih delov. Premaz se lahko nanaša v različnih debelinah in na zelo velike dele.

Značilnosti:
· Odlična odpornost na toplotne udarce
· Odlična odpornost na fizične udarce
· Odlična kemična odpornost
· Super visoka čistost
· Razpoložljivost v kompleksni obliki
· Uporabno v oksidativni atmosferi

Tipične lastnosti osnovnega grafitnega materiala:

Carbon dobavlja susceptorje in grafitne komponente za vse trenutne epitaksijske reaktorje. Naš portfelj vključuje cilindrične susceptorje za aplikativne in LPE enote, susceptorje v obliki palačinke za LPE, CSD in Gemini enote ter susceptorje z enojno rezino za aplikativne in ASM enote. Z združevanjem močnih partnerstev z vodilnimi proizvajalci originalne opreme, strokovnega znanja o materialih in proizvodnega znanja SGL ponuja optimalno zasnovo za vašo aplikacijo.

Več izdelkov