Ufiufi SiC ua ufiufi iO le mea e fai ai le kalafi mo le Semiconductor,Ufiufi silicon carbide,Fa'aola o le MOCVD,
Fa'avae o le kalafi, O le mea e fai ai le kalafi mo le Semiconductor, Fa'aola o le MOCVD, Ufiufi Silicon Carbide,

O ni fa'amanuiaga fa'apitoa o a matou mea e fa'apipi'i ai le graphite ua ufiufi i le SiC e aofia ai le matuā mama, ufiufi tutusa ma le umi e fa'aaoga ai. E maualuga fo'i lo latou tete'e atu i vaila'au ma le mautu i le vevela.

ufiufi SiC oFa'avae o le kalafimo fa'aoga Semiconductor e maua ai se vaega e sili atu le mama ma tete'e atu i le ea fa'a'okesaita.
E fa'aoga le CVD SiC po'o le CVI SiC i le Graphite o vaega faigofie pe faigata. E mafai ona fa'aoga le vali i mafiafia eseese ma vaega tetele.

Fa'amatalaga:
· Tete'e Sili Ona Lelei i le Te'i Fa'avevela
· Tete'e Lelei i Te'i Fa'aletino
· Tete'e Sili Ona Lelei i Vailaau Fa'akemikolo
· Mama Maualuga
· Mauaina i Foliga Faigata
· E mafai ona fa'aaogaina i lalo o le Ea Fa'a'okesaita

Uiga Masani o le Meafaitino Fa'avae o le Graphite:

E sapalai e le kaponi vaega o susceptors ma graphite mo epitaxy reactors uma o loʻo iai nei. O la matou faila e aofia ai barrel susceptors mo iunite faʻaaogaina ma LPE, pancake susceptors mo LPE, CSD, ma Gemini units, ma single-wafer susceptors mo iunite faʻaaogaina ma ASM. I le tuʻufaʻatasia o paʻaga malolosi ma OEM taʻimua, tomai faʻapitoa i meafaitino ma le poto masani i le gaosiga, e ofoina atu e le SGL le mamanu sili ona lelei mo lau faʻaoga.

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