SiC-Beschichtung beschichtet ausGraphitsubstrat für Halbleiter,Siliziumkarbid-Beschichtung,MOCVD-Suszeptor,
Graphitsubstrat, Graphitsubstrat für Halbleiter, MOCVD-Suszeptor, Siliziumkarbid-Beschichtung,

Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind ihre extrem hohe Reinheit, homogene Beschichtung und hervorragende Lebensdauer. Zudem zeichnen sie sich durch eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität aus.

SiC-Beschichtung ausGraphitsubstratfür Halbleiteranwendungen wird ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre hergestellt.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von einfachen oder komplexen Konstruktionsteilen aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Dicken und auf sehr große Teile aufgetragen werden.

Merkmale:
· Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
· Hervorragende physikalische Stoßfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre

Typische Eigenschaften des Graphit-Basismaterials:

Carbon liefert Suszeptoren und Graphitkomponenten für alle gängigen Epitaxiereaktoren. Unser Portfolio umfasst Barrel-Suszeptoren für angewandte und LPE-Einheiten, Pancake-Suszeptoren für LPE-, CSD- und Gemini-Einheiten sowie Single-Wafer-Suszeptoren für angewandte und ASM-Einheiten. Durch die Kombination aus starken Partnerschaften mit führenden OEMs, Materialexpertise und Fertigungs-Know-how bietet SGL das optimale Design für Ihre Anwendung.

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