Revestimento de SiC revestido deSubstrato de grafite para semicondutores,Revestimento de carboneto de silício,Susceptor de MOCVD,
Substrato de grafite, Substrato de grafite para semicondutores, Susceptor de MOCVD, Revestimento de carboneto de silício,

As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

Revestimento de SiC deSubstrato de grafitepara aplicações de semicondutores produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
O SiC CVD ou SiC CVI é aplicado ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em espessuras variadas e em peças muito grandes.

Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência física ao choque
· Excelente resistência química
· Super Alta Pureza
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável em atmosfera oxidante

Propriedades típicas do material de grafite base:

A Carbon fornece susceptores e componentes de grafite para todos os reatores epitaxiais atuais. Nosso portfólio inclui susceptores tipo barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores tipo panqueca para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores tipo wafer único para unidades aplicadas e ASM. Combinando sólidas parcerias com OEMs líderes, experiência em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o projeto ideal para sua aplicação.

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