Revestimento de SiC revestido deSubstrato de grafite para semicondutoresRevestimento de carbeto de silício,Susceptor MOCVD,
Substrato de grafite, Substrato de grafite para semicondutores, Susceptor MOCVD, Revestimento de carboneto de silício,

As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e estabilidade térmica.

revestimento de SiC deSubstrato de grafitePara aplicações em semicondutores, produz uma peça com pureza superior e resistência a atmosferas oxidantes.
A deposição química de silício (SiC) por CVD ou CVI é aplicada ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças de grandes dimensões.

Características:
• Excelente resistência ao choque térmico
• Excelente resistência a impactos físicos
• Excelente resistência química
• Pureza super elevada
• Disponibilidade em formatos complexos
• Pode ser usado em atmosfera oxidante.

Propriedades típicas do material base de grafite:

A Carbon fornece susceptores e componentes de grafite para todos os reatores de epitaxia atuais. Nosso portfólio inclui susceptores cilíndricos para unidades de epitaxia aplicada e LPE, susceptores planos para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores de wafer único para unidades de epitaxia aplicada e ASM. Combinando parcerias sólidas com os principais fabricantes de equipamentos originais (OEMs), conhecimento especializado em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o design ideal para sua aplicação.

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