revêtement SiC recouvert deSubstrat en graphite pour semi-conducteursRevêtement en carbure de silicium,Suscepteur MOCVD,
Substrat en graphite, Substrat en graphite pour semi-conducteurs, Suscepteur MOCVD, Revêtement en carbure de silicium,

Nos suscepteurs en graphite revêtus de SiC présentent des avantages spécifiques, notamment une pureté extrêmement élevée, un revêtement homogène et une excellente durée de vie. Ils offrent également une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.

revêtement SiC deSubstrat en graphitePour les applications semi-conducteurs, nous produisons des pièces d'une pureté supérieure et présentant une excellente résistance à l'atmosphère oxydante.
Le SiC déposé par CVD ou CVI est appliqué sur du graphite pour des pièces de conception simple ou complexe. Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur des pièces de très grandes dimensions.

Caractéristiques:
• Excellente résistance aux chocs thermiques
• Excellente résistance aux chocs physiques
• Excellente résistance chimique
· Pureté extrêmement élevée
· Disponible sous forme complexe
Utilisable sous atmosphère oxydante

Propriétés typiques du graphite de base :

Carbon fournit des suscepteurs et des composants en graphite pour tous les réacteurs d'épitaxie actuels. Notre gamme comprend des suscepteurs cylindriques pour les unités d'épitaxie appliquée et en phase liquide (LPE), des suscepteurs plats pour les unités LPE, CSD et Gemini, ainsi que des suscepteurs monocouches pour les unités d'épitaxie appliquée et ASM. Grâce à des partenariats solides avec les principaux équipementiers, à une expertise pointue des matériaux et à un savoir-faire industriel éprouvé, SGL vous propose la solution optimale pour votre application.

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