revêtement SiC revêtu deSubstrat en graphite pour semi-conducteurRevêtement en carbure de silicium,Suscepteur MOCVD,
Substrat en graphite, Substrat en graphite pour semi-conducteur, Suscepteur MOCVD, Revêtement en carbure de silicium,

Nos suscepteurs en graphite revêtus de SiC présentent des avantages particuliers : une pureté extrêmement élevée, un revêtement homogène et une excellente durée de vie. Ils présentent également une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.

Revêtement SiC deSubstrat en graphitepour les applications semi-conductrices, produit une pièce avec une pureté supérieure et une résistance à l'atmosphère oxydante.
Le SiC CVD ou CVI est appliqué au graphite pour des pièces de conception simple ou complexe. Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur de très grandes pièces.

Caractéristiques:
· Excellente résistance aux chocs thermiques
· Excellente résistance aux chocs physiques
· Excellente résistance chimique
· Très haute pureté
· Disponibilité sous forme complexe
· Utilisable sous atmosphère oxydante

Propriétés typiques du matériau de base en graphite :

Carbon fournit des suscepteurs et des composants en graphite pour tous les réacteurs d'épitaxie actuels. Notre gamme comprend des suscepteurs tonneaux pour unités appliquées et LPE, des suscepteurs pancake pour unités LPE, CSD et Gemini, ainsi que des suscepteurs mono-wafer pour unités appliquées et ASM. Grâce à des partenariats solides avec des équipementiers de premier plan, à son expertise en matériaux et à son savoir-faire en fabrication, SGL propose la conception optimale pour votre application.

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