Lapisan SiC dilapisiSubstrat grafit untuk SemikonduktorLapisan silikon karbida,Penderita MOCVD,
Substrat grafit, Substrat grafit untuk Semikonduktor, Penderita MOCVD, Pelapisan Karbida Silikon,

Keunggulan khusus dari susceptor grafit berlapis SiC kami meliputi kemurnian yang sangat tinggi, pelapisan yang homogen, dan masa pakai yang sangat baik. Mereka juga memiliki ketahanan kimia dan sifat stabilitas termal yang tinggi.

Pelapisan SiCSubstrat grafituntuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian unggul dan ketahanan terhadap atmosfer pengoksidasi.
CVD SiC atau CVI SiC diaplikasikan pada Grafit dengan desain sederhana atau rumit. Pelapisan dapat diaplikasikan dalam berbagai ketebalan dan pada komponen yang sangat besar.

Fitur:
· Tahan Guncangan Termal yang Sangat Baik
· Ketahanan Fisik yang Sangat Baik terhadap Guncangan
· Ketahanan Kimia yang Sangat Baik
· Kemurnian Super Tinggi
· Ketersediaan dalam Bentuk Kompleks
· Dapat digunakan dalam suasana pengoksidasi

Sifat Khas Material Dasar Grafit:

Carbon memasok susceptor dan komponen grafit untuk semua reaktor epitaksi saat ini. Portofolio kami meliputi susceptor barel untuk unit terapan dan LPE, susceptor pancake untuk unit LPE, CSD, dan Gemini, serta susceptor wafer tunggal untuk unit terapan dan ASM. Dengan menggabungkan kemitraan yang kuat dengan OEM terkemuka, keahlian material, dan pengetahuan manufaktur, SGL menawarkan desain yang optimal untuk aplikasi Anda.

Lebih Banyak Produk