Recubrimiento de SiC recubierto de sustrato de grafito para semiconductores, recubrimiento de carburo de silicio, susceptor MOCVD

Descripción breve:

El recubrimiento de SiC sobre sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con una pureza superior y resistencia a atmósferas oxidantes. El SiC CVD o el SiC CVI se aplican al grafito en piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento puede aplicarse en diferentes espesores y en piezas de gran tamaño.


  • Lugar de origen:Zhejiang, China (continental)
  • Número de modelo:Número de modelo:
  • Composición química:Grafito recubierto de SiC
  • Resistencia a la flexión:470 MPa
  • Conductividad térmica:300 W/mK
  • Calidad:Perfecto
  • Función:CVD-SiC
  • Solicitud:Semiconductores/Fotovoltaicos
  • Densidad:3,21 g/cc
  • Expansión térmica:4 10-6/K
  • Ceniza: <5 ppm
  • Muestra:Disponible
  • Código HS:6903100000
  • Detalle del producto

    Etiquetas de productos

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    Descripción del Producto

    Las ventajas especiales de nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento homogéneo y una excelente vida útil. Además, poseen alta resistencia química y estabilidad térmica.

    Recubrimiento de SiC desustrato de grafitoPara aplicaciones de semiconductores produce una pieza con pureza superior y resistencia a la atmósfera oxidante.
    El SiC CVD o el SiC CVI se aplican al grafito en piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento puede aplicarse en diferentes espesores y en piezas de gran tamaño.

    Susceptor MOCVD recubierto de SiC

    Características:
    · Excelente resistencia al choque térmico
    · Excelente resistencia a los golpes físicos
    · Excelente resistencia química
    · Pureza súper alta
    · Disponibilidad en forma compleja
    · Utilizable en atmósfera oxidante

     

    Propiedades típicas del material base de grafito:

    Densidad aparente: 1,85 g/cm3
    Resistividad eléctrica: 11 μΩm
    Resistencia a la flexión: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Dureza Shore: 58
    Ceniza: <5 ppm
    Conductividad térmica: 116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

    Carbon suministra susceptores y componentes de grafito para todos los reactores de epitaxia actuales. Nuestra cartera incluye susceptores de barril para unidades de aplicación y LPE, susceptores tipo pancake para unidades LPE, CSD y Gemini, y susceptores de oblea única para unidades de aplicación y ASM. Gracias a la sólida colaboración con fabricantes de equipos originales líderes, la experiencia en materiales y la experiencia en fabricación, SGL ofrece el diseño óptimo para su aplicación.

    Susceptor MOCVD recubierto de SiCSusceptor MOCVD recubierto de SiC

    Susceptor MOCVD recubierto de SiCSusceptor MOCVD recubierto de SiC

    Más productos

    Susceptor MOCVD recubierto de SiC

    Información de la empresa

    111

    Equipos de fábrica

    222

    Depósito

    333

    Certificaciones

    Certificaciones22

    Preguntas frecuentes

     


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