Recubrimiento de SiC recubierto deSustrato de grafito para semiconductoresRecubrimiento de carburo de silicio,Susceptor MOCVD,
Sustrato de grafito, Sustrato de grafito para semiconductores, Susceptor MOCVD, Recubrimiento de carburo de silicio,

Entre las ventajas especiales de nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC se incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento homogéneo y una excelente vida útil. Además, poseen una alta resistencia química y una gran estabilidad térmica.

Recubrimiento de SiC deSustrato de grafitoPara aplicaciones en semiconductores, produce una pieza con una pureza superior y resistencia a atmósferas oxidantes.
El recubrimiento de SiC mediante CVD o CVI se aplica al grafito en piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento se puede aplicar en diferentes espesores y a piezas de gran tamaño.

Características:
• Excelente resistencia al choque térmico
• Excelente resistencia a los golpes físicos
• Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
• Disponibilidad en formas complejas
• Utilizable en atmósfera oxidante

Propiedades típicas del material base de grafito:

Carbon suministra susceptores y componentes de grafito para todos los reactores de epitaxia actuales. Nuestro catálogo incluye susceptores cilíndricos para unidades de epitaxia aplicada y LPE, susceptores planos para unidades LPE, CSD y Gemini, y susceptores de oblea única para unidades de epitaxia aplicada y ASM. Gracias a la combinación de sólidas alianzas con fabricantes de equipos originales líderes, experiencia en materiales y conocimientos de fabricación, SGL ofrece el diseño óptimo para su aplicación.

Más productos