SiC-coating aangebracht op een grafietsubstraat voor halfgeleiders, siliciumcarbidecoating, MOCVD-susceptor

Korte beschrijving:

SiC-coating van grafietsubstraten voor halfgeleidertoepassingen levert een onderdeel op met een superieure zuiverheid en weerstand tegen oxiderende atmosferen. CVD SiC of CVI SiC wordt aangebracht op grafiet voor zowel eenvoudige als complexe ontwerpen. De coating kan in verschillende diktes worden aangebracht en is geschikt voor zeer grote onderdelen.


  • Plaats van herkomst:Zhejiang, China (vasteland)
  • Modelnummer:Modelnummer:
  • Chemische samenstelling:SiC-gecoate grafiet
  • Buigsterkte:470 MPa
  • Thermische geleidbaarheid:300 W/mK
  • Kwaliteit:Perfect
  • Functie:CVD-SiC
  • Sollicitatie:Halfgeleiders / Fotovoltaïsche cellen
  • Dikte:3,21 g/cc
  • Thermische uitzetting:4 10-6/K
  • As: <5 ppm
  • Steekproef:Beschikbaar
  • HS-code:6903100000
  • Productdetails

    Productlabels

    SiC-coating aangebracht opGrafietsubstraat voor halfgeleidersSiliciumcarbidecoating,MOCVD-receptor,
    Grafietsubstraat, Grafietsubstraat voor halfgeleiders, MOCVD-receptor, Siliciumcarbide coating,

    Productbeschrijving

    De bijzondere voordelen van onze met SiC gecoate grafietsusceptoren zijn de extreem hoge zuiverheid, de homogene coating en de uitstekende levensduur. Ze beschikken bovendien over een hoge chemische bestendigheid en thermische stabiliteit.

    SiC-coating vanGrafietsubstraatVoor halfgeleidertoepassingen produceert het een onderdeel met een superieure zuiverheid en weerstand tegen oxiderende atmosfeer.
    CVD SiC of CVI SiC wordt aangebracht op grafiet van eenvoudige of complexe onderdelen. De coating kan in verschillende diktes worden aangebracht en is geschikt voor zeer grote onderdelen.

    SiC-coating/gecoate MOCVD-susceptor

    Functies:
    • Uitstekende thermische schokbestendigheid
    • Uitstekende fysieke schokbestendigheid
    • Uitstekende chemische bestendigheid
    • Superhoge zuiverheid
    • Beschikbaar in complexe vormen
    • Bruikbaar in een oxiderende atmosfeer

     

    Typische eigenschappen van basisgrafietmateriaal:

    Schijnbare dichtheid: 1,85 g/cm3
    Elektrische weerstand: 11 μΩm
    Buigsterkte: 49 MPa (500 kgf/cm²)
    Shore-hardheid: 58
    As: <5 ppm
    Thermische geleidbaarheid: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Carbon levert susceptoren en grafietcomponenten voor alle huidige epitaxie-reactoren. Ons portfolio omvat tonvormige susceptoren voor toegepaste en LPE-eenheden, platte susceptoren voor LPE-, CSD- en Gemini-eenheden, en susceptoren voor afzonderlijke wafers voor toegepaste en ASM-eenheden. Door sterke partnerschappen met toonaangevende OEM's, materiaalkennis en productie-knowhow te combineren, biedt SGL het optimale ontwerp voor uw toepassing.

    SiC-coating/gecoate MOCVD-susceptorSiC-coating/gecoate MOCVD-susceptor

    SiC-coating/gecoate MOCVD-susceptorSiC-coating/gecoate MOCVD-susceptor

    Meer producten

    SiC-coating/gecoate MOCVD-susceptor

    Bedrijfsinformatie

    111

    Fabrieksuitrusting

    222

    Magazijn

    333

    Certificeringen

    Certificeringen22

    veelgestelde vragen

     


  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp online chat!