SiC-coating van grafietsubstraat voor halfgeleiders, siliciumcarbidecoating, MOCVD-susceptor

Korte beschrijving:

SiC-coating van grafietsubstraat voor halfgeleidertoepassingen produceert een onderdeel met superieure zuiverheid en weerstand tegen oxiderende atmosfeer. CVD SiC of CVI SiC wordt aangebracht op grafiet van eenvoudige of complexe onderdelen. De coating kan in verschillende diktes en op zeer grote onderdelen worden aangebracht.


  • Plaats van herkomst:Zhejiang, China (vasteland)
  • Modelnummer:Modelnummer:
  • Chemische samenstelling:SiC-gecoat grafiet
  • Buigsterkte:470 MPa
  • Thermische geleidbaarheid:300 W/mK
  • Kwaliteit:Perfect
  • Functie:CVD-SiC
  • Sollicitatie:Halfgeleider / Fotovoltaïsch
  • Dikte:3,21 g/cc
  • Thermische uitzetting:4 10-6/K
  • As: <5 ppm
  • Steekproef:Beschikbaar
  • HS-code:6903100000
  • Productdetails

    Productlabels

    SiC-coating gecoat vanGrafietsubstraat voor halfgeleiders,Siliciumcarbide coating,MOCVD-susceptor,
    Grafiet substraat, Grafietsubstraat voor halfgeleiders, MOCVD-susceptor, Siliciumcarbide coating,

    Productomschrijving

    Speciale voordelen van onze SiC-gecoate grafietsusceptoren zijn onder andere een extreem hoge zuiverheid, homogene coating en een uitstekende levensduur. Ze hebben ook een hoge chemische bestendigheid en thermische stabiliteit.

    SiC-coating vanGrafiet substraatvoor halfgeleidertoepassingen produceert een onderdeel met superieure zuiverheid en weerstand tegen oxiderende atmosfeer.
    CVD SiC of CVI SiC wordt toegepast op grafiet van eenvoudige of complexe onderdelen. De coating kan in verschillende diktes en op zeer grote onderdelen worden aangebracht.

    SiC-coating/gecoate MOCVD-susceptor

    Functies:
    · Uitstekende thermische schokbestendigheid
    · Uitstekende fysieke schokbestendigheid
    · Uitstekende chemische bestendigheid
    · Superhoge zuiverheid
    · Beschikbaarheid in complexe vorm
    · Bruikbaar onder oxiderende atmosfeer

     

    Typische eigenschappen van basisgrafietmateriaal:

    Schijnbare dichtheid: 1,85 g/cm3
    Elektrische weerstand: 11 μΩm
    Buigsterkte: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Shore-hardheid: 58
    As: <5 ppm
    Thermische geleidbaarheid: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Carbon levert susceptoren en grafietcomponenten voor alle gangbare epitaxiereactoren. Ons portfolio omvat cilindersusceptoren voor toegepaste en LPE-units, pancake-susceptoren voor LPE-, CSD- en Gemini-units, en single-wafer susceptoren voor toegepaste en ASM-units. Door sterke partnerschappen met toonaangevende OEM's, materiaalkennis en productiekennis te combineren, biedt SGL het optimale ontwerp voor uw toepassing.

    SiC-coating/gecoate MOCVD-susceptorSiC-coating/gecoate MOCVD-susceptor

    SiC-coating/gecoate MOCVD-susceptorSiC-coating/gecoate MOCVD-susceptor

    Meer producten

    SiC-coating/gecoate MOCVD-susceptor

    Bedrijfsinformatie

    111

    Fabrieksuitrusting

    222

    Magazijn

    333

    Certificeringen

    Certificeringen22

    veelgestelde vragen

     


  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Online Chat!