Kouch SiC kouvri akSubstra grafit pou semi-kondiktèKouch carbure Silisyòm,Sisèpteur MOCVD,
Substra grafit, Substra grafit pou semi-kondiktè, Sisèpteur MOCVD, Kouch Silisyòm Carbide,

Avantaj espesyal sisèpteur grafit kouvri ak SiC nou yo enkli yon pite ekstrèmman wo, yon kouch omojèn ak yon ekselan lavi sèvis. Yo genyen tou pwopriyete rezistans chimik ak estabilite tèmik ki wo.

Kouch SiC nanSubstra grafitPou aplikasyon semi-conducteurs, li pwodui yon pati ki gen pite siperyè ak rezistans nan atmosfè oksidan.
Yo aplike CVD SiC oubyen CVI SiC sou grafit ki gen yon konsepsyon senp oubyen konplèks. Yo ka aplike kouch la nan diferan epesè epi sou gwo pyès.

Karakteristik:
· Ekselan rezistans chòk tèmik
· Ekselan rezistans chòk fizik
· Ekselan rezistans chimik
· Super Pite Segondè
· Disponibilite nan fòm konplèks
· Itilizab anba atmosfè oksidan

Pwopriyete tipik nan materyèl grafit debaz:

Carbon founi sisèpteur ak konpozan grafit pou tout reaktè epitaksi aktyèl yo. Pòtfolyo nou an gen ladan sisèpteur barik pou inite aplike ak LPE, sisèpteur krèp pou inite LPE, CSD, ak Gemini, ak sisèpteur yon sèl wafer pou inite aplike ak ASM. Lè li konbine patenarya solid ak OEM dirijan yo, ekspètiz materyèl ak konesans fabrikasyon, SGL ofri konsepsyon optimal pou aplikasyon ou an.

Plis pwodwi