SiC-beläggning belagd avGrafitsubstrat för halvledareKiselkarbidbeläggning,MOCVD-mottagare,
Grafitsubstrat, Grafitsubstrat för halvledare, MOCVD-mottagare, Kiselkarbidbeläggning,

Särskilda fördelar med våra SiC-belagda grafitsusceptorer inkluderar extremt hög renhet, homogen beläggning och utmärkt livslängd. De har också hög kemisk resistens och termisk stabilitet.

SiC-beläggning avGrafitsubstratför halvledarapplikationer producerar en del med överlägsen renhet och motståndskraft mot oxiderande atmosfär.
CVD SiC eller CVI SiC appliceras på grafit i enkla eller komplexa designdelar. Beläggningen kan appliceras i varierande tjocklekar och på mycket stora delar.

Drag:
· Utmärkt motståndskraft mot termisk chock
· Utmärkt fysisk stötdämpning
· Utmärkt kemisk resistens
· Superhög renhet
· Tillgänglighet i komplex form
· Användbar i oxiderande atmosfär

Typiska egenskaper hos basgrafitmaterial:

Carbon levererar susceptorer och grafitkomponenter till alla nuvarande epitaxireaktorer. Vår portfölj inkluderar cylindersusceptorer för tillämpade och LPE-enheter, pannkakssusceptorer för LPE-, CSD- och Gemini-enheter, och enkelskivssusceptorer för tillämpade och ASM-enheter. Genom att kombinera starka partnerskap med ledande OEM-tillverkare, materialexpertis och tillverkningskunnande erbjuder SGL den optimala designen för din applikation.

Fler produkter