Tegumentum SiC obductum substrato graphito pro semiconductoribus, tegumentum carburi silicii, susceptor MOCVD

Tegumentum SiC substrato graphito pro semiconductoribus obductum, tegumentum carburi silicii, susceptor MOCVD. Imago principalis.

Descriptio Brevis:

Obductio SiC substrati graphiti ad usus semiconductorum partem producit cum puritate superiore et resistentia ad atmosphaeram oxidantem. SiC CVD vel CVI SiC applicatur ad graphitum partium designi simplicium vel complexorum. Obductio applicari potest variis crassitudinibus et ad partes permagnas.

Locus Originis:Zhejiang, China (Mainland)

Numerus Modeli:Numerus Modeli:

Compositio Chemica:Graphite SiC obducto

Robur flexurale:470Mpa

Conductivitas thermalis:300 W/mK

Qualitas:Perfectus

Functio:CVD-SiC

Applicatio:Semiconductor/Photovoltaicus

Densitas:3.21 g/cc

Expansio thermalis:4 10-6/K

Cinis: <5ppm

Exemplum:Disponibile

Codex HS:6903100000

Mitte nobis inscriptionem electronicam Deprime ut PDF

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Tegumentum SiC obductumSubstratum graphitum pro semiconductoribusObductio carburi silicii,Susceptor MOCVD,
Substratum graphitum, Substratum graphitum pro semiconductoribus, Susceptor MOCVD, Tegumentum Carbidi Silicii,

Inter commoda peculiaria susceptorum nostrorum graphito SiC obductorum sunt puritas altissima, obductio homogenea, et vita utilis optima. Praeterea, habent proprietates magnas resistentiae chemicae et stabilitatis thermalis.

Tegumentum SiCSubstratum graphitumAd usus semiconductorum partem cum puritate superiore et resistentia ad atmosphaeram oxidantem producit.
CVD SiC vel CVI SiC ad graphitum partium simplicium vel complexarum adhibetur. Obductio variis crassitudinibus et partibus magnis adhiberi potest.

Susceptor MOCVD SiC obductus/obductus

Proprietates:
· Excellens Resistentia Ictui Thermali
· Excellens Resistentia Ictuum Physicorum
· Excellens Resistentia Chemica
· Puritas Maxima
· Disponibilitas in Forma Complexa
· Usus sub atmosphaera oxidante

Proprietates Typicae Materiae Graphicae Basis:

Densitas Apparens:	1.85 g/cm³
Resistivitas electrica:	11 μΩm
Robur Flexurale:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Duritia litoris:	58
Cinis:	<5ppm
Conductivitas Thermalis:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Carbon susceptores et partes graphitae omnibus reactoribus epitaxiae hodiernis praebet. Nostrum portfolio susceptores dolii pro unitatibus applicatis et LPE, susceptores lamellares pro unitatibus LPE, CSD, et Gemini, et susceptores singularis lamellae pro unitatibus applicatis et ASM comprehendit. SGL, societates firmas cum fabricatoribus originalibus (OEM) praestantibus, peritiam materiarum, et scientiam fabricationis coniungendo, designum optimum pro applicatione tua offert.

Susceptor MOCVD SiC obductus/obductus