Revestimento de SiC revestido desubstrato de grafito para semicondutoresRevestimento de carburo de silicioSusceptor MOCVD,
substrato de grafito, substrato de grafito para semicondutores, Susceptor MOCVD, Revestimento de carburo de silicio,

Entre as vantaxes especiais dos nosos susceptores de grafito revestidos de SiC inclúense unha pureza extremadamente alta, un revestimento homoxéneo e unha excelente vida útil. Tamén teñen propiedades de alta resistencia química e estabilidade térmica.

Revestimento de SiCsubstrato de grafitopara aplicacións de semicondutores produce unha peza con pureza superior e resistencia á atmosfera oxidante.
O SiC CVD ou o SiC CVI aplícase ao grafito de pezas de deseño simple ou complexo. O revestimento pódese aplicar en diferentes grosores e a pezas moi grandes.

Características:
· Excelente resistencia ao choque térmico
· Excelente resistencia física aos impactos
· Excelente resistencia química
· Pureza superalta
· Dispoñibilidade en forma complexa
· Utilizable en atmosfera oxidante

Propiedades típicas do material de grafito base:

Carbon subministra susceptores e compoñentes de grafito para todos os reactores de epitaxia actuais. A nosa carteira inclúe susceptores de barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores de filloa para unidades LPE, CSD e Gemini e susceptores de oblea única para unidades aplicadas e ASM. Ao combinar fortes asociacións con fabricantes de equipos orixinais líderes, experiencia en materiais e coñecementos de fabricación, SGL ofrece o deseño óptimo para a súa aplicación.

Máis produtos