Навіны

Ці можа алмаз замяніць іншыя магутныя паўправадніковыя прыборы?
адміністратарам 24-11-25
Як аснова сучасных электронных прылад, паўправадніковыя матэрыялы перажываюць беспрэцэдэнтныя змены. Сёння алмаз паступова дэманструе свой вялікі патэнцыял як паўправадніковы матэрыял чацвёртага пакалення з выдатнымі электрычнымі і цеплавымі ўласцівасцямі і стабільнасцю ў экстрэмальных умовах...
Чытаць далей
Які механізм планарызацыі CMP?
адміністратарам 24-11-25
Падвойны дамаскі працэс — гэта тэхналогія, якая выкарыстоўваецца для вырабу металічных злучэнняў у інтэгральных схемах. Гэта далейшае развіццё дамаскага працэсу. Дзякуючы адначасоваму фарміраванню скразных адтулін і пазов на адным этапе працэсу і іх запаўненню металам, інтэграваная вытворчасць...
Чытаць далей
Графіт з пакрыццём TaC
адміністратарам 24-11-21
I. Даследаванне параметраў працэсу 1. Сістэма TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Тэмпература адкладання: Згодна з тэрмадынамічнай формулай, разлічана, што пры тэмпературы вышэй за 1273K свабодная энергія Гібса рэакцыі вельмі нізкая, і рэакцыя адносна завершана. Рэальная...
Чытаць далей
Працэс і тэхналогія абсталявання для вырошчвання крышталяў карбіду крэмнію
адміністратарам 24-11-21
1. Тэхналогія вырошчвання крышталяў SiC: PVT (метад сублімацыі), HTCUD (высокатэмпературны CVD), LPE (метад вадкай фазы) — тры распаўсюджаныя метады вырошчвання крышталяў SiC. Найбольш вядомым метадам у галіне з'яўляецца метад PVT, і больш за 95% монакрышталяў SiC вырошчваецца з дапамогай PVT...
Чытаць далей
Падрыхтоўка і паляпшэнне характарыстык кампазітных матэрыялаў на аснове порыстага крэмнію і вугляроду
адміністратарам 24-11-13
Літый-іённыя акумулятары ў асноўным развіваюцца ў напрамку высокай шчыльнасці энергіі. Пры пакаёвай тэмпературы матэрыялы адмоўных электродаў на аснове крэмнію сплаўляюцца з літыем, утвараючы багаты на літый прадукт — фазу Li3.75Si, з удзельнай ёмістасцю да 3572 мАг/г, што значна вышэй за тэарэтычна...
Чытаць далей
Тэрмічнае акісленне монакрышталічнага крэмнію
адміністратарам 24-11-13
Утварэнне дыяксіду крэмнію на паверхні крэмнію называецца акісленнем, і стварэнне стабільнага і моцна прыліплага дыяксіду крэмнію прывяло да з'яўлення планарнай тэхналогіі інтэгральных схем на аснове крэмнію. Нягледзячы на тое, што існуе шмат спосабаў вырошчвання дыяксіду крэмнію непасрэдна на паверхні крэмнію...
Чытаць далей
УФ-апрацоўка для ўпакоўкі на ўзроўні пласцін з разветвленнем
адміністратарам 24-11-05
Размяшчэнне пласцін на ўзроўні пласцін (FOWLP) — гэта эканамічна эфектыўны метад у паўправадніковай прамысловасці. Але тыповымі пабочнымі эфектамі гэтага працэсу з'яўляюцца дэфармацыя і зрушэнне чыпа. Нягледзячы на пастаяннае ўдасканаленне тэхналогіі размяшчэння пласцін на ўзроўні пласцін і панэляў, гэтыя праблемы, звязаныя з ліццём, усё яшчэ існуюць...
Чытаць далей
Карбідкрэмніевая кераміка: абрывальнік фотаэлектрычных кварцавых кампанентаў
адміністратарам 24-11-05
З бесперапынным развіццём сучаснага свету неаднаўляльныя крыніцы энергіі ўсё больш вычэрпваюцца, і чалавечае грамадства ўсё больш востра патрабуе выкарыстання аднаўляльных крыніц энергіі, прадстаўленых «ветрам, святлом, вадой і ядзернай энергіяй». У параўнанні з іншымі аднаўляльнымі крыніцамі энергіі, людзі...
Чытаць далей
Працэс падрыхтоўкі карбідкрэмніевай керамікі рэакцыйным спяканнем і спяканнем без ціску
адміністратарам 24-10-29
Рэакцыйнае спяканне Працэс вытворчасці карбіду крэмнію з дапамогай рэакцыйнага спякання ўключае ў сябе ўшчыльненне керамікі, ушчыльненне інфільтрацыі флюсу для спякання, падрыхтоўку керамічнага прадукту з дапамогай рэакцыйнага спякання, падрыхтоўку драўняна-карбіднай керамікі і іншыя этапы. Рэакцыйнае спяканне крэмнію ...
Чытаць далей