ସମାଚାର

କ’ଣ ହୀରା ଅନ୍ୟ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ସମ୍ପନ୍ନ ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ବଦଳାଇ ପାରିବ?
୨୪-୧୧-୨୫ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣର ମୂଳଦୁଆ ଭାବରେ, ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକ ଅଭୂତପୂର୍ବ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଦେଇ ଗତି କରୁଛି। ଆଜି, ହୀରା ଧୀରେ ଧୀରେ ଚତୁର୍ଥ ପିଢ଼ିର ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଏବଂ ତାପଜ ଗୁଣ ଏବଂ ଚରମ ପରିସ୍ଥିତିରେ ସ୍ଥିରତା ସହିତ ଏହାର ମହାନ ସମ୍ଭାବନା ଦେଖାଉଛି...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
CMPର ପ୍ଲାନରାଇଜେସନ୍ ମେକାନିଜିମ୍ କ’ଣ?
୨୪-୧୧-୨୫ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ଡୁଆଲ୍-ଡାମାସିନ୍ ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଯାହା ସମନ୍ୱିତ ସର୍କିଟରେ ଧାତୁ ଆନ୍ତଃସଂଯୋଗ ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। ଏହା ଡାମାସିସ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଆହୁରି ବିକାଶ। ସମାନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପଦକ୍ଷେପରେ ଏକା ସମୟରେ ଗାତ ଏବଂ ଖାଲ ମାଧ୍ୟମରେ ଗଠନ କରି ଏବଂ ସେଗୁଡ଼ିକୁ ଧାତୁରେ ପୂରଣ କରି, ଏମ୍... ର ସମନ୍ୱିତ ଉତ୍ପାଦନ।
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
TaC ଆବରଣ ସହିତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍
୨୪-୧୧-୨୧ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
I. ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟର ଅନୁସନ୍ଧାନ 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar ସିଷ୍ଟମ 2. ଜମା ତାପମାତ୍ରା: ଥର୍ମୋଡାଇନାମିକ୍ ସୂତ୍ର ଅନୁସାରେ, ଏହା ଗଣନା କରାଯାଏ ଯେ ଯେତେବେଳେ ତାପମାତ୍ରା 1273K ରୁ ଅଧିକ ହୁଏ, ପ୍ରତିକ୍ରିୟାର ଗିବସ୍ ମୁକ୍ତ ଶକ୍ତି ବହୁତ କମ୍ ଥାଏ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଆପେକ୍ଷିକ ଭାବରେ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ହୋଇଥାଏ। ରିଆ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ଉପକରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା
୨୪-୧୧-୨୧ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
1. SiC ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ମାର୍ଗ PVT (ଉପଲିମେସନ ପଦ୍ଧତି), HTCVD (ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା CVD), LPE (ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦ୍ଧତି) ହେଉଛି ତିନୋଟି ସାଧାରଣ SiC ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି; ଶିଳ୍ପରେ ସବୁଠାରୁ ସ୍ୱୀକୃତିପ୍ରାପ୍ତ ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି PVT ପଦ୍ଧତି, ଏବଂ 95% ରୁ ଅଧିକ SiC ଏକକ ସ୍ଫଟିକ PVT ଦ୍ୱାରା ଚାଷ କରାଯାଏ ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ଛିଦ୍ରଯୁକ୍ତ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ସାମଗ୍ରୀର ପ୍ରସ୍ତୁତି ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉନ୍ନତି
୨୪-୧୧-୧୩ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ଲିଥିୟମ୍-ଆୟନ୍ ବ୍ୟାଟେରୀଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତଃ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଘନତ୍ୱ ଦିଗରେ ବିକାଶଶୀଳ ହେଉଛନ୍ତି। କୋଠରୀ ତାପମାତ୍ରାରେ, ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ନକାରାତ୍ମକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଲିଥିୟମ୍ ସହିତ ମିଶ୍ରଣ କରି ଲିଥିୟମ୍-ସମୃଦ୍ଧ ଉତ୍ପାଦ Li3.75Si ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଉତ୍ପାଦନ କରେ, ଯାହାର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ କ୍ଷମତା 3572 mAh/g ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, ଯାହା ତତ୍ତ୍ୱ ଅପେକ୍ଷା ବହୁତ ଅଧିକ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ ସିଲିକନର ତାପଜ ଅକ୍ସିଡେସନ
୨୪-୧୧-୧୩ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ସିଲିକନର ପୃଷ୍ଠରେ ସିଲିକନ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡର ଗଠନକୁ ଅକ୍ସିଡେସନ କୁହାଯାଏ, ଏବଂ ସ୍ଥିର ଏବଂ ଦୃଢ଼ ଭାବରେ ଲାଗି ରହିଥିବା ସିଲିକନ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡର ସୃଷ୍ଟି ସିଲିକନ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପ୍ଲାନର ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ଜନ୍ମ ନେଇଥିଲା। ଯଦିଓ ସିଲିକୋର ପୃଷ୍ଠରେ ସିଧାସଳଖ ସିଲିକନ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ ବୃଦ୍ଧି କରିବାର ଅନେକ ଉପାୟ ଅଛି...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ଫ୍ୟାନ୍-ଆଉଟ୍ ୱେଫର-ସ୍ତର ପ୍ୟାକେଜିଂ ପାଇଁ UV ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ
୨୪-୧୧-୦୫ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ଫ୍ୟାନ୍ ଆଉଟ୍ ୱାଫର ଲେବଲ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ (FOWLP) ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ ଏକ କମ ଖର୍ଚ୍ଚକାରୀ ପଦ୍ଧତି। କିନ୍ତୁ ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାର ସାଧାରଣ ପାର୍ଶ୍ୱ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ହେଉଛି ୱାର୍ପିଙ୍ଗ୍ ଏବଂ ଚିପ୍ ଅଫସେଟ୍। ୱାଫର ଲେବଲ୍ ଏବଂ ପ୍ୟାନେଲ୍ ଲେବଲ୍ ଫ୍ୟାନ୍ ଆଉଟ୍ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ନିରନ୍ତର ଉନ୍ନତି ସତ୍ତ୍ୱେ, ମୋଲ୍ଡିଂ ସହିତ ଜଡିତ ଏହି ସମସ୍ୟାଗୁଡ଼ିକ ଏବେ ବି ରହିଛି...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସେରାମିକ୍ସ: ଫଟୋଭୋଲ୍ଟାଇକ୍ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଟର୍ମିନେଟର୍
୨୪-୧୧-୦୫ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ଆଜିର ବିଶ୍ୱର ନିରନ୍ତର ବିକାଶ ସହିତ, ଅଣ-ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି କ୍ରମଶଃ ଶେଷ ହେବାକୁ ଲାଗିଛି, ଏବଂ ମାନବ ସମାଜ "ପବନ, ଆଲୋକ, ଜଳ ଏବଂ ପରମାଣୁ" ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍ୱ କରାଯାଇଥିବା ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର କରିବାକୁ କ୍ରମଶଃ ଜରୁରୀ ହେଉଛି। ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ଉତ୍ସ ତୁଳନାରେ, ମଣିଷ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସିଣ୍ଟରିଂ ଏବଂ ଚାପହୀନ ସିଣ୍ଟରିଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସେରାମିକ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପ୍ରକ୍ରିୟା
୨୪-୧୦-୨୯ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସିଣ୍ଟରିଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସିଣ୍ଟରିଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିରାମିକ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସିରାମିକ୍ କମ୍ପାକ୍ଟିଂ, ସିଣ୍ଟରିଂ ଫ୍ଲକ୍ସ ଇନଫ୍ଲିଟ୍ରେସନ୍ ଏଜେଣ୍ଟ କମ୍ପାକ୍ଟିଂ, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସିଣ୍ଟରିଂ ସିରାମିକ୍ ଉତ୍ପାଦ ପ୍ରସ୍ତୁତି, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ କାଠ ସିରାମିକ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପଦକ୍ଷେପ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ। ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସିଣ୍ଟରିଂ ସିଲିକନ୍ ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ