Den monokrystallinske 8-tommers silisiumskiven fra VET Energy er en bransjeledende løsning for produksjon av halvledere og elektroniske enheter. Disse skivene tilbyr overlegen renhet og krystallinsk struktur, og er ideelle for høyytelsesapplikasjoner i både solcelle- og halvlederindustrien. VET Energy sørger for at hver skive er omhyggelig behandlet for å oppfylle de høyeste standardene, noe som gir utmerket ensartethet og glatt overflatefinish, noe som er avgjørende for produksjon av avanserte elektroniske enheter.
Disse monokrystallinske 8-tommers silisiumskivene er kompatible med en rekke materialer, inkludert Si-skiver, SiC-substrat, SOI-skiver og SiN-substrat, og er spesielt egnet for epi-skivervekst. Deres overlegne termiske ledningsevne og elektriske egenskaper gjør dem til et pålitelig valg for høyeffektiv produksjon. I tillegg er disse skivene designet for å fungere sømløst med materialer som galliumoksid Ga2O3 og AlN-skiver, og tilbyr et bredt spekter av bruksområder fra kraftelektronikk til RF-enheter. Skivene passer også perfekt inn i kassettsystemer for automatiserte produksjonsmiljøer med høyt volum.
VET Energys produktlinje er ikke begrenset til silisiumskiver. Vi tilbyr også et bredt spekter av halvledersubstratmaterialer, inkludert SiC-substrat, SOI-skiver, SiN-substrat, Epi-skiver osv., samt nye halvledermaterialer med bredt båndgap som galliumoksid Ga2O3 og AlN-skiver. Disse produktene kan dekke behovene til ulike kunder innen kraftelektronikk, radiofrekvens, sensorer og andre felt.
VET Energy tilbyr kundene tilpassede waferløsninger. Vi kan tilpasse wafere med ulik resistivitet, oksygeninnhold, tykkelse osv. i henhold til kundenes spesifikke behov. I tillegg tilbyr vi også profesjonell teknisk støtte og ettersalgsservice for å hjelpe kundene med å løse ulike problemer som oppstår under produksjonsprosessen.
SPESIFIKASJONER FOR VAFFERING
*n-Pm=n-type Pm-kvalitet, n-Ps=n-type Ps-kvalitet, Sl=Halvisolerende
| Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bue(GF3YFCD) – Absolutt verdi | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Varp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Waferkant | Avfasing | ||||
OVERFLATEFINISH
*n-Pm=n-type Pm-kvalitet, n-Ps=n-type Ps-kvalitet, Sl=Halvisolerende
| Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Overflatebehandling | Dobbeltsidig optisk polering, Si-Face CMP | ||||
| Overflateruhet | (10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Kantbrikker | Ingen tillatt (lengde og bredde ≥0,5 mm) | ||||
| Innrykk | Ingen tillatt | ||||
| Riper (Si-Face) | Antall ≤5, Kumulativ | Antall ≤5, Kumulativ | Antall ≤5, Kumulativ | ||
| Sprekker | Ingen tillatt | ||||
| Kantekskludering | 3 mm | ||||





