Monokristalliner 8-Zoll-Silizium-Wafer

Kurze Beschreibung:

Der einkristalline 8-Zoll-Siliziumwafer von VET Energy ist ein hochreines, hochwertiges Halbleiterbasismaterial. VET Energy verwendet ein fortschrittliches CZ-Wachstumsverfahren, um sicherzustellen, dass der Wafer eine hervorragende Kristallqualität, geringe Defektdichte und hohe Gleichmäßigkeit aufweist und somit ein solides und zuverlässiges Substrat für Ihre Halbleiterbauelemente darstellt.


Produktdetail

Produkt Tags

Der monokristalline 8-Zoll-Siliziumwafer von VET Energy ist eine branchenführende Lösung für die Herstellung von Halbleitern und elektronischen Geräten. Dank ihrer überragenden Reinheit und kristallinen Struktur eignen sich diese Wafer ideal für Hochleistungsanwendungen in der Photovoltaik- und Halbleiterindustrie. VET Energy stellt sicher, dass jeder Wafer sorgfältig nach höchsten Standards verarbeitet wird. Dies gewährleistet höchste Gleichmäßigkeit und eine glatte Oberflächenbeschaffenheit, die für die Produktion fortschrittlicher elektronischer Geräte unerlässlich sind.

Diese monokristallinen 8-Zoll-Siliziumwafer sind mit einer Reihe von Materialien kompatibel, darunter Si-Wafer, SiC-Substrate, SOI-Wafer und SiN-Substrate, und eignen sich besonders für das Wachstum von Epitaxie-Wafern. Ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und ihre elektrischen Eigenschaften machen sie zu einer zuverlässigen Wahl für die hocheffiziente Fertigung. Darüber hinaus sind diese Wafer für die nahtlose Zusammenarbeit mit Materialien wie Galliumoxid (Ga2O3) und AlN-Wafer konzipiert und bieten ein breites Anwendungsspektrum von der Leistungselektronik bis hin zu HF-Geräten. Die Wafer eignen sich zudem perfekt für Kassettensysteme für hochvolumige, automatisierte Produktionsumgebungen.

Die Produktpalette von VET Energy beschränkt sich nicht nur auf Siliziumwafer. Wir bieten auch eine breite Palette an Halbleitersubstratmaterialien an, darunter SiC-Substrate, SOI-Wafer, SiN-Substrate, Epi-Wafer usw. sowie neue Halbleitermaterialien mit großem Bandabstand wie Galliumoxid (Ga2O3) und AlN-Wafer. Diese Produkte erfüllen die Anwendungsanforderungen verschiedener Kunden in den Bereichen Leistungselektronik, Hochfrequenz, Sensorik und anderen Bereichen.

VET Energy bietet seinen Kunden maßgeschneiderte Waferlösungen. Wir können Wafer mit unterschiedlichem Widerstand, Sauerstoffgehalt, Dicke usw. entsprechend den spezifischen Kundenanforderungen anpassen. Darüber hinaus bieten wir professionellen technischen Support und Kundendienst, um Kunden bei der Lösung verschiedener Probleme im Produktionsprozess zu unterstützen.

Seite 6-36
Seite 6-35

WAFERINGSSPEZIFIKATIONEN

*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 µm

≤6 µm

Bow(GF3YFCD)-Absoluter Wert

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2 μm

Waferkante

Abschrägung

OBERFLÄCHENBEARBEITUNG

*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oberflächenbeschaffenheit

Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP

Oberflächenrauheit

(10µm x 10µm) Si-FlächeRa≤0,2nm
C-Fläche Ra ≤ 0,5 nm

(5µm x 5µm) Si-Fläche Ra≤0,2nm
C-Fläche Ra≤0,5nm

Kantensplitter

Keine zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm)

Einrückungen

Keine erlaubt

Kratzer (Si-Face)

Menge ≤5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Risse

Keine erlaubt

Kantenausschluss

3 mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Vorherige:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!