Wafer Silisyòm Monokristalin 8 pous VET Energy a se yon solisyon dirijan nan endistri a pou fabrikasyon aparèy semi-kondiktè ak elektwonik. Avèk yon pite siperyè ak yon estrikti cristalline, wafer sa yo ideyal pou aplikasyon pèfòmans segondè nan endistri fotovoltaik ak semi-kondiktè yo. VET Energy asire ke chak wafer trete ak anpil atansyon pou satisfè pi wo estanda yo, sa ki bay yon inifòmite ekselan ak yon fini sifas lis, ki esansyèl pou pwodiksyon aparèy elektwonik avanse.
Gofr Silisyòm Monokristalin 8 pous sa yo konpatib ak yon seri materyèl, tankou Gofr Si, Substra SiC, Gofr SOI, Substra SiN, epi yo patikilyèman apwopriye pou kwasans Gofr Epi. Konduktivite tèmik siperyè yo ak pwopriyete elektrik yo fè yo yon chwa serye pou fabrikasyon ki gen gwo efikasite. Anplis de sa, gofr sa yo fèt pou travay san pwoblèm ak materyèl tankou Oksid Galyòm Ga2O3 ak Gofr AlN, sa ki ofri yon pakèt aplikasyon soti nan elektwonik pouvwa rive nan aparèy RF. Gofr yo anfòm tou parfe nan sistèm Kasèt pou anviwònman pwodiksyon otomatik ki gen gwo volim.
Liy pwodwi VET Energy a pa limite a wafer Silisyòm sèlman. Nou ofri tou yon pakèt materyèl substrat semi-kondiktè, tankou SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye, ansanm ak nouvo materyèl semi-kondiktè ak gwo espas bann tankou Galyòm Oksid Ga2O3 ak AlN Wafer. Pwodwi sa yo ka satisfè bezwen aplikasyon diferan kliyan nan elektwonik pouvwa, frekans radyo, detèktè ak lòt domèn.
VET Energy bay kliyan yo solisyon waf pèsonalize. Nou ka pèsonalize waf ak diferan rezistivite, kontni oksijèn, epesè, elatriye selon bezwen espesifik kliyan yo. Anplis de sa, nou bay tou sipò teknik pwofesyonèl ak sèvis apre-lavant pou ede kliyan yo rezoud divès pwoblèm yo rankontre pandan pwosesis pwodiksyon an.
ESPESIFIKASYON WAFERING
*n-Pm=tip-n Pm-Grade,n-Ps=tip-n Ps-Grade,Sl=Semi-izolan
| Atik | 8 pous | 6 pous | 4 pous | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bow(GF3YFCD)-Valè Absoli | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformation (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Bò waf la | Bizote | ||||
FINI SIFAS
*n-Pm=tip-n Pm-Grade,n-Ps=tip-n Ps-Grade,Sl=Semi-izolan
| Atik | 8 pous | 6 pous | 4 pous | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Fini sifas | Doub bò Poli optik, Si-Fas CMP | ||||
| Sifas Rugosité | (10um x 10um) Si-FasRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Fas Ra≤0.2nm | |||
| Chips kwen | Pa gen okenn otorize (longè ak lajè ≥0.5mm) | ||||
| Endantasyon | Okenn pa pèmèt | ||||
| Reyur (Si-Face) | Kantite ≤5, Kimilatif | Kantite ≤5, Kimilatif | Kantite ≤5, Kimilatif | ||
| Fant | Okenn pa pèmèt | ||||
| Eksklizyon kwen | 3mm | ||||





