Lamella Silicii Monocrystallina Octo Unciarum

Imago Praecipua Lamellae Silicii Monocrystallinae Octo Pollicum

Descriptio Brevis:

Lamella silicii monocrystallina octo unciarum VET Energy est materia basis semiconductoria summae puritatis et summae qualitatis. VET Energy utitur processu provecto crescentiae CZ ut lamellae praestantissimum crystallum, densitatem vitiorum humilem et uniformitatem magnam praebeat, substratum solidum et fidum pro machinis tuis semiconductoribus praebens.

Mitte nobis inscriptionem electronicam Deprime ut PDF

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Lamella Silicii Monocrystallina Octo Unciarum a VET Energy fabricata est solutio praestans in industria ad fabricationem semiconductorum et instrumentorum electronicorum. Puritatem superiorem et structuram crystallinam offerentes, hae lamellae ideales sunt ad applicationes summae efficaciae in industriis tam photovoltaicis quam semiconductorum. VET Energy efficit ut quaeque lamella diligenter tractetur ad summos normas implendas, praebens uniformitatem excellentem et superficiem lenem, quae essentiales sunt ad productionem instrumentorum electronicorum provectorum.

Hae crustae silicii monocrystallinae octo unciarum cum variis materiis, inter quas crusta silicii, substrata siC, crusta soidii, et substrata siN, congruunt, et praecipue ad accretionem crustarum epicrinicarum aptae sunt. Earum conductivitas thermalis superior et proprietates electricae eas electionem fidam ad fabricationem altae efficientiae faciunt. Praeterea, hae crustae ita designatae sunt ut cum materiis ut oxido gallii ga₂o₃ et crusta alni (AlN) sine difficultate operentur, amplam applicationum varietatem ab electronicis potentiae ad machinas radiofrequentiae offerentes. Crustae etiam perfecte in systemata cassettarum pro ambitus productionis magni voluminis et automatis conveniunt.

Series productorum VET Energy non solum lamellas silicii limitatur. Amplam quoque varietatem materiarum substratorum semiconductorum praebemus, inter quas sunt substratum SiC, lamella SOI, substratum SiN, lamella Epi, et cetera, necnon novas materias semiconductorum latae bandae intervallo, ut oxydum Gallii Ga₂O₃ et lamella AlN. Hae res necessitatibus applicationum variorum clientium in electronicis potentiae, frequentia radiophonica, sensoribus, aliisque campis satisfacere possunt.

VET Energy clientibus solutiones laminarum ad singulorum necessitates aptatas praebet. Laminas cum diversa resistentia, oxygenii contento, crassitudine, et cetera, secundum necessitates specificas clientium aptare possumus. Praeterea, auxilium technicum professionale et servitium post-venditionem praebemus ut clientibus varias difficultates in processu productionis occurrentes solvant.

SPECIFICATIONES WAFERING

*n-Pm = n-typus Pm-Gradus, n-Ps = n-typus Ps-Gradus, Sl = Semi-insulans

Res	Octo-unciae	Sex unciarum			Quattuor unciarum
Res	nP	n-Pm	n-P	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Arcus (GF3YFCD) - Valor Absolutus	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Deformatio (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mm x 10mm	<2μm
Margo Lamellae	Beveling

SUPERFICIES SUPERFICIIS

*n-Pm = n-typus Pm-Gradus, n-Ps = n-typus Ps-Gradus, Sl = Semi-insulans

Res	Octo-unciae	Sex unciarum			Quattuor unciarum
	nP	n-Pm	n-P	SI	SI
Superficies Finis	Politura optica utrinque, Si-Face CMP
Asperitas Superficialis	(10um × 10um) Si-FaciesRa≤0.2nm Facies C Ra≤ 0.5nm			(5um x 5um) Facies Silicis Ra ≤ 0.2nm Facies C Ra≤0.5nm
Fragmenta Marginis	Nullum Permissum (longitudo et latitudo ≥0.5mm)
Indentationes	Nullum Permissum
Scalpturae (Si-Facie)	Quantitas ≤5, Cumulativa Longitudo ≤ 0.5 × diametrus lamellae	Quantitas ≤5, Cumulativa Longitudo ≤ 0.5 × diametrus lamellae			Quantitas ≤5, Cumulativa Longitudo ≤ 0.5 × diametrus lamellae
Fissurae	Nullum Permissum
Exclusio Marginis	3mm