ویفر سیلیکونی تکبلوری ۸ اینچی از شرکت VET Energy، یک راهکار پیشرو در صنعت برای ساخت نیمهرساناها و دستگاههای الکترونیکی است. این ویفرها با ارائه خلوص و ساختار کریستالی برتر، برای کاربردهای با کارایی بالا در صنایع فتوولتائیک و نیمهرسانا ایدهآل هستند. VET Energy تضمین میکند که هر ویفر با دقت پردازش میشود تا بالاترین استانداردها را برآورده کند و یکنواختی عالی و سطح صافی را ارائه دهد که برای تولید دستگاههای الکترونیکی پیشرفته ضروری است.
این ویفرهای سیلیکونی تکبلوری ۸ اینچی با طیف وسیعی از مواد، از جمله ویفر سیلیکونی، زیرلایه SiC، ویفر SOI، زیرلایه SiN سازگار هستند و به ویژه برای رشد ویفرهای Epi مناسب هستند. رسانایی حرارتی و خواص الکتریکی برتر آنها، آنها را به انتخابی مطمئن برای تولید با راندمان بالا تبدیل میکند. علاوه بر این، این ویفرها به گونهای طراحی شدهاند که به طور یکپارچه با موادی مانند اکسید گالیوم Ga2O3 و ویفر AlN کار کنند و طیف گستردهای از کاربردها را از الکترونیک قدرت گرفته تا دستگاههای RF ارائه دهند. این ویفرها همچنین کاملاً در سیستمهای کاست برای محیطهای تولید خودکار با حجم بالا جای میگیرند.
خط تولید VET Energy محدود به ویفرهای سیلیکونی نیست. ما همچنین طیف گستردهای از مواد زیرلایه نیمههادی، از جمله زیرلایه SiC، ویفر SOI، زیرلایه SiN، ویفر Epi و غیره، و همچنین مواد نیمههادی با شکاف باند وسیع جدید مانند اکسید گالیوم Ga2O3 و ویفر AlN را ارائه میدهیم. این محصولات میتوانند نیازهای کاربردی مشتریان مختلف را در الکترونیک قدرت، فرکانس رادیویی، حسگرها و سایر زمینهها برآورده کنند.
شرکت VET Energy راهکارهای سفارشیسازیشدهای برای ویفر به مشتریان ارائه میدهد. ما میتوانیم ویفرهایی با مقاومت ویژه، میزان اکسیژن، ضخامت و غیره مختلف را مطابق با نیازهای خاص مشتریان سفارشیسازی کنیم. علاوه بر این، ما پشتیبانی فنی حرفهای و خدمات پس از فروش را نیز برای کمک به مشتریان در حل مشکلات مختلفی که در طول فرآیند تولید با آن مواجه میشوند، ارائه میدهیم.
مشخصات ویفر
*n-Pm=نوع n درجه Pm،n-Ps=نوع n درجه Ps،Sl=نیمه عایق
| مورد | ۸ اینچ | ۶ اینچ | ۴ اینچ | ||
| ان پی | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| تیتیوی (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| کمان (GF3YFCD) - قدر مطلق | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| تار (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV (SBIR) - 10mmx10mm | <2μm | ||||
| لبه ویفر | پخ زنی | ||||
پرداخت سطح
*n-Pm=نوع n درجه Pm،n-Ps=نوع n درجه Ps،Sl=نیمه عایق
| مورد | ۸ اینچ | ۶ اینچ | ۴ اینچ | ||
| ان پی | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| پرداخت سطح | پولیش نوری دو طرفه، سی-فیس CMP | ||||
| زبری سطح | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) سی-فیس Ra≤0.2nm | |||
| تراشههای لبه | مجاز نیست (طول و عرض ≥0.5 میلیمتر) | ||||
| تورفتگیها | هیچ کدام مجاز نیست | ||||
| خراشها (سی-فیس) | تعداد≤5، تجمعی | تعداد≤5، تجمعی | تعداد≤5، تجمعی | ||
| ترکها | هیچ کدام مجاز نیست | ||||
| حذف لبه | ۳ میلیمتر | ||||





