व्हीईटी एनर्जीचा मोनोक्रिस्टलाइन ८ इंच सिलिकॉन वेफर हा सेमीकंडक्टर आणि इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या निर्मितीसाठी उद्योगातील आघाडीचा उपाय आहे. उत्कृष्ट शुद्धता आणि क्रिस्टलीय रचना देणारे, हे वेफर्स फोटोव्होल्टेइक आणि सेमीकंडक्टर उद्योगांमध्ये उच्च-कार्यक्षमता अनुप्रयोगांसाठी आदर्श आहेत. व्हीईटी एनर्जी हे सुनिश्चित करते की प्रत्येक वेफरवर सर्वोच्च मानकांची पूर्तता करण्यासाठी काळजीपूर्वक प्रक्रिया केली जाते, उत्कृष्ट एकरूपता आणि गुळगुळीत पृष्ठभाग प्रदान करते, जे प्रगत इलेक्ट्रॉनिक उपकरण उत्पादनासाठी आवश्यक आहेत.
हे मोनोक्रिस्टलाइन ८ इंच सिलिकॉन वेफर्स Si वेफर, SiC सबस्ट्रेट, SOI वेफर, SiN सबस्ट्रेट यासारख्या विविध मटेरियलशी सुसंगत आहेत आणि विशेषतः Epi वेफरच्या वाढीसाठी योग्य आहेत. त्यांची उत्कृष्ट थर्मल चालकता आणि विद्युत गुणधर्म त्यांना उच्च-कार्यक्षमतेच्या उत्पादनासाठी एक विश्वासार्ह पर्याय बनवतात. याव्यतिरिक्त, हे वेफर्स गॅलियम ऑक्साइड Ga2O3 आणि AlN वेफर सारख्या मटेरियलसह अखंडपणे काम करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत, जे पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्सपासून ते RF उपकरणांपर्यंत विस्तृत अनुप्रयोग देतात. उच्च-व्हॉल्यूम, स्वयंचलित उत्पादन वातावरणासाठी कॅसेट सिस्टममध्ये वेफर्स देखील पूर्णपणे बसतात.
व्हीईटी एनर्जीची उत्पादन श्रेणी केवळ सिलिकॉन वेफर्सपुरती मर्यादित नाही. आम्ही सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट मटेरियलची विस्तृत श्रेणी देखील प्रदान करतो, ज्यामध्ये SiC सब्सट्रेट, SOI वेफर, SiN सब्सट्रेट, Epi वेफर इत्यादींचा समावेश आहे, तसेच गॅलियम ऑक्साइड Ga2O3 आणि AlN वेफर सारख्या नवीन विस्तृत बँडगॅप सेमीकंडक्टर मटेरियल देखील आहेत. ही उत्पादने पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, रेडिओ फ्रिक्वेन्सी, सेन्सर्स आणि इतर क्षेत्रातील विविध ग्राहकांच्या अनुप्रयोग गरजा पूर्ण करू शकतात.
व्हीईटी एनर्जी ग्राहकांना कस्टमाइज्ड वेफर सोल्यूशन्स प्रदान करते. आम्ही ग्राहकांच्या विशिष्ट गरजांनुसार वेगवेगळ्या प्रतिरोधकता, ऑक्सिजन सामग्री, जाडी इत्यादींसह वेफर कस्टमाइज करू शकतो. याव्यतिरिक्त, आम्ही उत्पादन प्रक्रियेदरम्यान येणाऱ्या विविध समस्या सोडवण्यास ग्राहकांना मदत करण्यासाठी व्यावसायिक तांत्रिक सहाय्य आणि विक्रीनंतरची सेवा देखील प्रदान करतो.
वेफरिंग स्पेसिफिकेशन्स
*n-Pm=n-प्रकार Pm-ग्रेड,n-Ps=n-प्रकार Ps-ग्रेड,Sl=अर्ध-इन्सुलेटिंग
| आयटम | ८-इंच | ६-इंच | ४-इंच | ||
| एनपी | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| टीटीव्ही (जीबीआयआर) | ≤६अम | ≤६अम | |||
| धनुष्य(GF3YFCD)-परिपूर्ण मूल्य | ≤१५μm | ≤१५μm | ≤२५μm | ≤१५μm | |
| वॉर्प (GF3YFER) | ≤२५μm | ≤२५μm | ≤४०μm | ≤२५μm | |
| एलटीव्ही (एसबीआयआर)-१० मिमीx१० मिमी | <2μm | ||||
| वेफर एज | बेव्हलिंग | ||||
पृष्ठभाग समाप्त
*n-Pm=n-प्रकार Pm-ग्रेड,n-Ps=n-प्रकार Ps-ग्रेड,Sl=अर्ध-इन्सुलेटिंग
| आयटम | ८-इंच | ६-इंच | ४-इंच | ||
| एनपी | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| पृष्ठभाग पूर्ण करणे | दुहेरी बाजूचे ऑप्टिकल पॉलिश, साय-फेस सीएमपी | ||||
| पृष्ठभाग खडबडीतपणा | (१०um x १०um) Si-FaceRa≤०.२nm | (५umx५um) Si-फेस Ra≤०.२nm | |||
| एज चिप्स | काहीही परवानगी नाही (लांबी आणि रुंदी≥0.5 मिमी) | ||||
| इंडेंट | काहीही परवानगी नाही | ||||
| ओरखडे (सी-फेस) | प्रमाण.≤5, संचयी | प्रमाण.≤5, संचयी | प्रमाण.≤5, संचयी | ||
| भेगा | काहीही परवानगी नाही | ||||
| कडा वगळणे | ३ मिमी | ||||





