VET Energy का मोनोक्रिस्टलाइन 8 इंच सिलिकॉन वेफर सेमीकंडक्टर और इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस निर्माण के लिए एक उद्योग-अग्रणी समाधान है। बेहतर शुद्धता और क्रिस्टलीय संरचना प्रदान करने वाले ये वेफर फोटोवोल्टिक और सेमीकंडक्टर दोनों उद्योगों में उच्च-प्रदर्शन अनुप्रयोगों के लिए आदर्श हैं। VET Energy सुनिश्चित करता है कि प्रत्येक वेफर को उच्चतम मानकों को पूरा करने के लिए सावधानीपूर्वक संसाधित किया जाता है, जिससे उत्कृष्ट एकरूपता और चिकनी सतह खत्म होती है, जो उन्नत इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस उत्पादन के लिए आवश्यक है।
ये मोनोक्रिस्टलाइन 8 इंच सिलिकॉन वेफ़र Si वेफ़र, SiC सब्सट्रेट, SOI वेफ़र, SiN सब्सट्रेट सहित कई प्रकार की सामग्रियों के साथ संगत हैं, और विशेष रूप से Epi वेफ़र विकास के लिए उपयुक्त हैं। उनकी बेहतर तापीय चालकता और विद्युत गुण उन्हें उच्च दक्षता वाले विनिर्माण के लिए एक विश्वसनीय विकल्प बनाते हैं। इसके अतिरिक्त, इन वेफ़र्स को गैलियम ऑक्साइड Ga2O3 और AlN वेफ़र जैसी सामग्रियों के साथ सहजता से काम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो पावर इलेक्ट्रॉनिक्स से लेकर RF डिवाइस तक के अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला प्रदान करते हैं। वेफ़र उच्च-मात्रा, स्वचालित उत्पादन वातावरण के लिए कैसेट सिस्टम में भी पूरी तरह से फिट होते हैं।
VET Energy की उत्पाद लाइन सिर्फ़ सिलिकॉन वेफ़र तक सीमित नहीं है। हम SiC सब्सट्रेट, SOI वेफ़र, SiN सब्सट्रेट, Epi वेफ़र आदि सहित सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट सामग्रियों की एक विस्तृत श्रृंखला भी प्रदान करते हैं, साथ ही गैलियम ऑक्साइड Ga2O3 और AlN वेफ़र जैसी नई वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्री भी प्रदान करते हैं। ये उत्पाद पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, रेडियो फ़्रीक्वेंसी, सेंसर और अन्य क्षेत्रों में विभिन्न ग्राहकों की एप्लिकेशन ज़रूरतों को पूरा कर सकते हैं।
VET Energy ग्राहकों को कस्टमाइज्ड वेफर समाधान प्रदान करता है। हम ग्राहकों की विशिष्ट आवश्यकताओं के अनुसार अलग-अलग प्रतिरोधकता, ऑक्सीजन सामग्री, मोटाई आदि के साथ वेफर्स को कस्टमाइज कर सकते हैं। इसके अलावा, हम ग्राहकों को उत्पादन प्रक्रिया के दौरान आने वाली विभिन्न समस्याओं को हल करने में मदद करने के लिए पेशेवर तकनीकी सहायता और बिक्री के बाद सेवा भी प्रदान करते हैं।
वेफ़रिंग विनिर्देश
*एन-पीएम=एन-टाइप पीएम-ग्रेड,एन-पीएस=एन-टाइप पीएस-ग्रेड,एसएल=अर्द्ध इन्सुलेटिंग
| वस्तु | 8-इंच | 6 इंच | 4 इंच | ||
| एनपी | एन-पीएम | एन-पीएस | SI | SI | |
| टीटीवी(जीबीआईआर) | ≤6um | ≤6um | |||
| धनुष(GF3YFCD)-निरपेक्ष मान | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| ताना(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| एलटीवी(एसबीआईआर)-10मिमीx10मिमी | <2μm | ||||
| वेफर एज | बेवेलिंग | ||||
सतह खत्म
*एन-पीएम=एन-टाइप पीएम-ग्रेड,एन-पीएस=एन-टाइप पीएस-ग्रेड,एसएल=अर्द्ध इन्सुलेटिंग
| वस्तु | 8-इंच | 6 इंच | 4 इंच | ||
| एनपी | एन-पीएम | एन-पीएस | SI | SI | |
| सतह खत्म | डबल साइड ऑप्टिकल पॉलिश, Si- फेस सीएमपी | ||||
| सतह खुरदरापन | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-फेस Ra≤0.2nm | |||
| एज चिप्स | कोई भी अनुमति नहीं (लंबाई और चौड़ाई≥0.5 मिमी) | ||||
| इंडेंट | कोई अनुमति नहीं | ||||
| खरोंचें (Si-फेस) | मात्रा.≤5, संचयी | मात्रा.≤5, संचयी | मात्रा.≤5, संचयी | ||
| दरारें | कोई अनुमति नहीं | ||||
| एज एक्सक्लूज़न | 3 मिमी | ||||





