Den monokrystallinske 8-tommer siliciumwafer fra VET Energy er en brancheførende løsning til fremstilling af halvledere og elektroniske enheder. Disse wafere tilbyder overlegen renhed og krystallinsk struktur og er ideelle til højtydende applikationer i både solcelle- og halvlederindustrien. VET Energy sikrer, at hver wafer er omhyggeligt forarbejdet for at opfylde de højeste standarder, hvilket giver fremragende ensartethed og glat overfladefinish, hvilket er afgørende for produktion af avanceret elektronisk udstyr.
Disse monokrystallinske 8-tommer siliciumwafere er kompatible med en række materialer, herunder Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat, og er særligt velegnede til Epi-wafervækst. Deres overlegne termiske ledningsevne og elektriske egenskaber gør dem til et pålideligt valg til højeffektiv fremstilling. Derudover er disse wafere designet til at fungere problemfrit med materialer som galliumoxid Ga2O3 og AlN-wafer, hvilket tilbyder en bred vifte af anvendelser fra effektelektronik til RF-enheder. Waferne passer også perfekt ind i kassettesystemer til automatiserede produktionsmiljøer med høj volumen.
VET Energys produktsortiment er ikke begrænset til siliciumwafere. Vi tilbyder også en bred vifte af halvledersubstratmaterialer, herunder SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat, Epi-wafer osv., samt nye halvledermaterialer med bredt båndgab såsom galliumoxid Ga2O3 og AlN-wafer. Disse produkter kan opfylde forskellige kunders behov inden for effektelektronik, radiofrekvens, sensorer og andre områder.
VET Energy tilbyder kunder skræddersyede waferløsninger. Vi kan tilpasse wafere med forskellig resistivitet, iltindhold, tykkelse osv. i henhold til kundernes specifikke behov. Derudover tilbyder vi også professionel teknisk support og eftersalgsservice for at hjælpe kunder med at løse forskellige problemer, der opstår under produktionsprocessen.
SPECIFIKATIONER FOR VAFFERING
*n-Pm=n-type Pm-kvalitet,n-Ps=n-type Ps-kvalitet,Sl=Semiisolerende
| Punkt | 8-tommer | 6-tommer | 4-tommer | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bue(GF3YFCD) - Absolut værdi | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV(SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Waferkant | Affasning | ||||
OVERFLADEFINISH
*n-Pm=n-type Pm-kvalitet,n-Ps=n-type Ps-kvalitet,Sl=Semiisolerende
| Punkt | 8-tommer | 6-tommer | 4-tommer | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Overfladefinish | Dobbeltsidet optisk polering, Si-Face CMP | ||||
| Overfladeruhed | (10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Kantchips | Ingen tilladt (længde og bredde ≥0,5 mm) | ||||
| Indryk | Ingen tilladt | ||||
| Ridser (Si-Face) | Antal ≤5, Kumulativ | Antal ≤5, Kumulativ | Antal ≤5, Kumulativ | ||
| Revner | Ingen tilladt | ||||
| Kantudelukkelse | 3 mm | ||||





