Wafer Silikon Monokristalin 8 Inci dari VET Energy merupakan solusi terdepan di industri untuk pembuatan semikonduktor dan perangkat elektronik. Menawarkan kemurnian dan struktur kristal yang unggul, wafer ini ideal untuk aplikasi berkinerja tinggi baik di industri fotovoltaik maupun semikonduktor. VET Energy memastikan bahwa setiap wafer diproses dengan cermat untuk memenuhi standar tertinggi, memberikan keseragaman yang sangat baik dan permukaan akhir yang halus, yang penting untuk produksi perangkat elektronik tingkat lanjut.
Wafer Silikon Monokristalin 8 Inci ini kompatibel dengan berbagai material, termasuk Wafer Si, Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, dan sangat cocok untuk pertumbuhan Wafer Epi. Konduktivitas termal dan sifat listriknya yang unggul menjadikannya pilihan yang andal untuk produksi dengan efisiensi tinggi. Selain itu, wafer ini dirancang untuk bekerja dengan lancar dengan material seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan Wafer AlN, menawarkan berbagai aplikasi mulai dari elektronika daya hingga perangkat RF. Wafer ini juga sangat cocok dengan sistem Kaset untuk lingkungan produksi otomatis bervolume tinggi.
Lini produk VET Energy tidak terbatas pada wafer silikon. Kami juga menyediakan berbagai macam bahan substrat semikonduktor, termasuk Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, Wafer Epi, dll., serta bahan semikonduktor dengan celah pita lebar baru seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan Wafer AlN. Produk-produk ini dapat memenuhi kebutuhan aplikasi berbagai pelanggan dalam bidang elektronika daya, frekuensi radio, sensor, dan bidang lainnya.
VET Energy menyediakan solusi wafer yang disesuaikan bagi pelanggan. Kami dapat menyesuaikan wafer dengan resistivitas, kandungan oksigen, ketebalan, dll. yang berbeda sesuai dengan kebutuhan spesifik pelanggan. Selain itu, kami juga menyediakan dukungan teknis profesional dan layanan purnajual untuk membantu pelanggan memecahkan berbagai masalah yang dihadapi selama proses produksi.
SPESIFIKASI WAFERING
*n-Pm=Tipe-n Kelas Pm,n-Ps=Tipe-n Kelas Ps,Sl=Semi-isolasi
| Barang | 8 inci | 6 inci | 4 inci | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (Inggris Raya) | Ukuran ≤6um | Ukuran ≤6um | |||
| Bow(GF3YFCD)-Nilai Mutlak | ≤15 mikron | ≤15 mikron | ≤25 mikron | ≤15 mikron | |
| Melengkung(GF3YFER) | ≤25 mikron | ≤25 mikron | Ukuran ≤40 mikrometer | ≤25 mikron | |
| LTV (SBIR)-10mm x 10mm | <2 mikron | ||||
| Tepi Wafer | Kemiringan | ||||
AKHIR PERMUKAAN
*n-Pm=Tipe-n Kelas Pm,n-Ps=Tipe-n Kelas Ps,Sl=Semi-isolasi
| Barang | 8 inci | 6 inci | 4 inci | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Permukaan Akhir | Poles Optik Dua Sisi, Si-Face CMP | ||||
| Kekasaran Permukaan | (10um x 10um) Muka SiRa≤0,2nm | (5umx5um) Sisi Si Ra≤0,2nm | |||
| Keripik Tepi | Tidak Diizinkan (panjang dan lebar ≥ 0,5 mm) | ||||
| Indentasi | Tidak Diizinkan | ||||
| Goresan (Si-Face) | Jumlah ≤5, Kumulatif | Jumlah ≤5, Kumulatif | Jumlah ≤5, Kumulatif | ||
| Retakan | Tidak Diizinkan | ||||
| Pengecualian Tepi | ukuran 3mm | ||||





