単結晶8インチシリコンウエハ

簡単な説明:

VET Energyの単結晶8インチシリコンウェーハは、高純度・高品質の半導体基材です。VET Energyは、高度なCZ成長プロセスを採用することで、優れた結晶品質、低欠陥密度、高い均一性を実現し、半導体デバイスに最適な堅牢で信頼性の高い基板を提供します。


製品詳細

製品タグ

VET Energyの単結晶8インチシリコンウエハは、半導体および電子機器製造における業界をリードするソリューションです。優れた純度と結晶構造を備えたこれらのウエハは、太陽光発電業界と半導体業界の両方における高性能アプリケーションに最適です。VET Energyは、すべてのウエハを最高水準を満たすよう綿密に処理し、優れた均一性と滑らかな表面仕上げを実現しています。これらは高度な電子機器の製造に不可欠です。

これらの単結晶8インチシリコンウェーハは、Siウェーハ、SiC基板、SOIウェーハ、SiN基板など、様々な材料と互換性があり、特にエピウェーハの成長に適しています。優れた熱伝導性と電気特性により、高効率製造における信頼性の高い選択肢となります。さらに、これらのウェーハは、酸化ガリウム(Ga2O3)やAlNウェーハなどの材料とシームレスに連携するように設計されており、パワーエレクトロニクスからRFデバイスまで、幅広い用途に対応します。また、これらのウェーハは、大量生産の自動化環境向けカセットシステムにも最適です。

VET Energyの製品ラインはシリコンウェーハにとどまりません。SiC基板、SOIウェーハ、SiN基板、エピウェーハなど、幅広い半導体基板材料に加え、酸化ガリウム(Ga2O3)やAlNウェーハといった新しいワイドバンドギャップ半導体材料も提供しています。これらの製品は、パワーエレクトロニクス、無線周波数、センサーなどの分野におけるさまざまなお客様のアプリケーションニーズにお応えします。

VET Energyは、お客様にカスタマイズされたウェーハソリューションを提供しています。お客様の具体的なニーズに合わせて、抵抗率、酸素含有量、厚さなどが異なるウェーハをカスタマイズできます。さらに、専門的な技術サポートとアフターサービスも提供し、生産プロセス中に発生するさまざまな問題の解決を支援します。

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ウェーハ仕様

*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁

アイテム

8インチ

6インチ

4インチ

nP

n-午後

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

ボウ(GF3YFCD)-絶対値

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

ワープ(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

2μm未満

ウェーハエッジ

面取り

表面仕上げ

*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁

アイテム

8インチ

6インチ

4インチ

nP

n-午後

n-Ps

SI

SI

表面仕上げ

両面光学研磨、Si面CMP

表面粗さ

(10um x 10um) Si面Ra≤0.2nm
C面Ra≤0.5nm

(5umx5um) Si面Ra≤0.2nm
C面Ra≤0.5nm

エッジチップ

なし 許可なし(長さと幅≥0.5mm)

インデント

許可なし

傷(Si面)

数量≤5、累計
長さ≤0.5×ウェーハ直径

数量≤5、累計
長さ≤0.5×ウェーハ直径

数量≤5、累計
長さ≤0.5×ウェーハ直径

ひび割れ

許可なし

エッジ除外

3mm

技術_1_2_サイズ
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