Il wafer di silicio monocristallino da 8 pollici di VET Energy è una soluzione leader del settore per la fabbricazione di semiconduttori e dispositivi elettronici. Grazie alla purezza superiore e alla struttura cristallina, questi wafer sono ideali per applicazioni ad alte prestazioni sia nel settore fotovoltaico che in quello dei semiconduttori. VET Energy garantisce che ogni wafer venga lavorato meticolosamente per soddisfare i più elevati standard qualitativi, garantendo un'eccellente uniformità e una finitura superficiale liscia, essenziali per la produzione di dispositivi elettronici avanzati.
Questi wafer di silicio monocristallino da 8 pollici sono compatibili con una vasta gamma di materiali, tra cui wafer di Si, substrato di SiC, wafer SOI, substrato di SiN, e sono particolarmente adatti per la crescita di wafer Epi. La loro conduttività termica e le proprietà elettriche superiori li rendono una scelta affidabile per una produzione ad alta efficienza. Inoltre, questi wafer sono progettati per funzionare perfettamente con materiali come l'ossido di gallio Ga2O3 e il wafer di AlN, offrendo un'ampia gamma di applicazioni, dall'elettronica di potenza ai dispositivi RF. I wafer si adattano perfettamente anche ai sistemi a cassetta per ambienti di produzione automatizzati ad alto volume.
La linea di prodotti di VET Energy non si limita ai wafer di silicio. Offriamo anche un'ampia gamma di substrati semiconduttori, tra cui substrati in SiC, wafer SOI, substrati in SiN, wafer Epi, ecc., nonché nuovi materiali semiconduttori ad ampio bandgap come l'ossido di gallio Ga₂O₂ e il wafer AlN. Questi prodotti possono soddisfare le esigenze applicative di diversi clienti nei settori dell'elettronica di potenza, delle radiofrequenze, della sensoristica e di altri settori.
VET Energy offre ai clienti soluzioni wafer personalizzate. Possiamo personalizzare i wafer con diverse resistività, contenuto di ossigeno, spessore, ecc. in base alle esigenze specifiche del cliente. Inoltre, forniamo supporto tecnico professionale e assistenza post-vendita per aiutare i clienti a risolvere le diverse problematiche riscontrate durante il processo produttivo.
SPECIFICHE DI WAFERING
*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arco (GF3YFCD) - Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformazione (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Bordo del wafer | smussatura | ||||
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finitura superficiale | Lucidatura ottica bifacciale, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità superficiale | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥0,5 mm) | ||||
| Rientri | Nessuno consentito | ||||
| Graffi (Si-Face) | Quantità ≤5, Cumulativo | Quantità ≤5, Cumulativo | Quantità ≤5, Cumulativo | ||
| crepe | Nessuno consentito | ||||
| Esclusione del bordo | 3 millimetri | ||||





