Wafer di silicio monocristallino da 8 pollici

Breve descrizione:

Il wafer di silicio monocristallino da 8 pollici di VET Energy è un materiale di base per semiconduttori ad alta purezza e alta qualità. VET Energy utilizza un processo avanzato di crescita della CZ per garantire che il wafer abbia un'eccellente qualità cristallina, una bassa densità di difetti e un'elevata uniformità, fornendo un substrato solido e affidabile per i vostri dispositivi a semiconduttore.


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Il wafer di silicio monocristallino da 8 pollici di VET Energy è una soluzione leader del settore per la fabbricazione di semiconduttori e dispositivi elettronici. Grazie alla purezza superiore e alla struttura cristallina, questi wafer sono ideali per applicazioni ad alte prestazioni sia nel settore fotovoltaico che in quello dei semiconduttori. VET Energy garantisce che ogni wafer venga lavorato meticolosamente per soddisfare i più elevati standard qualitativi, garantendo un'eccellente uniformità e una finitura superficiale liscia, essenziali per la produzione di dispositivi elettronici avanzati.

Questi wafer di silicio monocristallino da 8 pollici sono compatibili con una vasta gamma di materiali, tra cui wafer di Si, substrato di SiC, wafer SOI, substrato di SiN, e sono particolarmente adatti per la crescita di wafer Epi. La loro conduttività termica e le proprietà elettriche superiori li rendono una scelta affidabile per una produzione ad alta efficienza. Inoltre, questi wafer sono progettati per funzionare perfettamente con materiali come l'ossido di gallio Ga2O3 e il wafer di AlN, offrendo un'ampia gamma di applicazioni, dall'elettronica di potenza ai dispositivi RF. I wafer si adattano perfettamente anche ai sistemi a cassetta per ambienti di produzione automatizzati ad alto volume.

La linea di prodotti di VET Energy non si limita ai wafer di silicio. Offriamo anche un'ampia gamma di substrati semiconduttori, tra cui substrati in SiC, wafer SOI, substrati in SiN, wafer Epi, ecc., nonché nuovi materiali semiconduttori ad ampio bandgap come l'ossido di gallio Ga₂O₂ e il wafer AlN. Questi prodotti possono soddisfare le esigenze applicative di diversi clienti nei settori dell'elettronica di potenza, delle radiofrequenze, della sensoristica e di altri settori.

VET Energy offre ai clienti soluzioni wafer personalizzate. Possiamo personalizzare i wafer con diverse resistività, contenuto di ossigeno, spessore, ecc. in base alle esigenze specifiche del cliente. Inoltre, forniamo supporto tecnico professionale e assistenza post-vendita per aiutare i clienti a risolvere le diverse problematiche riscontrate durante il processo produttivo.

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SPECIFICHE DI WAFERING

*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valore assoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bordo del wafer

smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finitura superficiale

Lucidatura ottica bifacciale, Si-Face CMP

Rugosità superficiale

(10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm
C-Face Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5nm

Chip di bordo

Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥0,5 mm)

Rientri

Nessuno consentito

Graffi (Si-Face)

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

crepe

Nessuno consentito

Esclusione del bordo

3 millimetri

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