Монокристалната 8-инчова силициева пластина от VET Energy е водещо в индустрията решение за производство на полупроводници и електронни устройства. Предлагайки превъзходна чистота и кристална структура, тези пластини са идеални за високопроизводителни приложения както във фотоволтаичната, така и в полупроводниковата индустрия. VET Energy гарантира, че всяка пластина е щателно обработена, за да отговаря на най-високите стандарти, осигурявайки отлична еднородност и гладка повърхност, които са от съществено значение за производството на съвременни електронни устройства.
Тези монокристални 8-инчови силициеви пластини са съвместими с редица материали, включително Si пластина, SiC субстрат, SOI пластина, SiN субстрат и са особено подходящи за растеж на Epi пластини. Тяхната превъзходна топлопроводимост и електрически свойства ги правят надежден избор за високоефективно производство. Освен това, тези пластини са проектирани да работят безпроблемно с материали като галиев оксид Ga2O3 и AlN пластина, предлагайки широк спектър от приложения - от силова електроника до радиочестотни устройства. Пластините също така се вписват идеално в касетъчни системи за високообемни, автоматизирани производствени среди.
Продуктовата линия на VET Energy не се ограничава само до силициеви пластини. Ние също така предлагаме широка гама от полупроводникови субстратни материали, включително SiC субстрат, SOI пластина, SiN субстрат, Epi пластина и др., както и нови широколентови полупроводникови материали като галиев оксид Ga2O3 и AlN пластина. Тези продукти могат да отговорят на нуждите на различни клиенти в силовата електроника, радиочестотата, сензорите и други области.
VET Energy предоставя на клиентите си персонализирани решения за пластини. Можем да персонализираме пластини с различно съпротивление, съдържание на кислород, дебелина и др. според специфичните нужди на клиентите. Освен това, ние предоставяме професионална техническа поддръжка и следпродажбено обслужване, за да помогнем на клиентите да решат различни проблеми, възникващи по време на производствения процес.
СПЕЦИФИКАЦИИ ЗА ВАФЛИРАНЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас, n-Ps=n-тип Ps-клас, Sl=Полуизолационен
| Елемент | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
| нП | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 мкм | ≤6 мкм | |||
| Bow (GF3YFCD) - Абсолютна стойност | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Уорп (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV (SBIR) - 10 мм x 10 мм | <2μm | ||||
| Ръб на вафлата | Скосяване | ||||
ПОВЪРХНОСТНА ОБРАБОТКА
*n-Pm=n-тип Pm-клас, n-Ps=n-тип Ps-клас, Sl=Полуизолационен
| Елемент | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
| нП | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Повърхностно покритие | Двустранно оптично полиране, Si-Face CMP | ||||
| Грапавост на повърхността | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Ръбни чипове | Не е разрешено (дължина и ширина ≥0,5 мм) | ||||
| Отстъпи | Не е разрешено | ||||
| Драскотини (Si-Face) | Количество ≤5, Кумулативно | Количество ≤5, Кумулативно | Количество ≤5, Кумулативно | ||
| Пукнатини | Не е разрешено | ||||
| Изключване на ръбове | 3 мм | ||||





