VET 에너지의 단결정 8인치 실리콘 웨이퍼는 반도체 및 전자 소자 제조를 위한 업계 최고의 솔루션입니다. 탁월한 순도와 결정 구조를 제공하는 이 웨이퍼는 태양광 및 반도체 산업의 고성능 애플리케이션에 이상적입니다. VET 에너지는 모든 웨이퍼가 최고 수준의 기준을 충족하도록 정밀하게 가공되어 첨단 전자 소자 생산에 필수적인 탁월한 균일성과 매끄러운 표면 마감을 제공합니다.
이 단결정 8인치 실리콘 웨이퍼는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판 등 다양한 소재와 호환되며, 특히 에피 웨이퍼 성장에 적합합니다. 뛰어난 열전도도와 전기적 특성 덕분에 고효율 제조에 적합한 선택입니다. 또한, 이 웨이퍼는 산화갈륨(Ga2O3) 및 AlN 웨이퍼와 같은 소재와 완벽하게 호환되도록 설계되어 전력 전자 장치부터 RF 장치까지 광범위한 응용 분야에 적합합니다. 또한, 이 웨이퍼는 대량 생산 자동화 환경의 카세트 시스템에도 완벽하게 적합합니다.
VET Energy의 제품 라인은 실리콘 웨이퍼에만 국한되지 않습니다. SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판, Epi 웨이퍼 등 광범위한 반도체 기판 소재는 물론, 산화갈륨(Ga₂O₃) 및 AlN 웨이퍼와 같은 새로운 와이드 밴드갭 반도체 소재도 제공합니다. 이러한 제품들은 전력 전자, 무선 주파수, 센서 등 다양한 분야의 고객 요구를 충족할 수 있습니다.
VET 에너지는 고객에게 맞춤형 웨이퍼 솔루션을 제공합니다. 고객의 특정 요구에 맞춰 저항률, 산소 함량, 두께 등을 다양하게 조절하여 웨이퍼를 맞춤 제작할 수 있습니다. 또한, 생산 과정에서 발생하는 다양한 문제를 해결할 수 있도록 전문적인 기술 지원 및 애프터서비스를 제공합니다.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm등급,n-Ps=n형 Ps등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| 엔피 | n-오후 | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bow(GF3YFCD)-절대값 | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| 워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| 웨이퍼 엣지 | 베벨링 | ||||
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm등급,n-Ps=n형 Ps등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| 엔피 | n-오후 | n-Ps | SI | SI | |
| 표면 마감 | 양면 광학 연마, Si-Face CMP | ||||
| 표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| 엣지 칩스 | 허용되지 않음(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
| 들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
| 스크래치(Si-Face) | 수량≤5,누적 | 수량≤5,누적 | 수량≤5,누적 | ||
| 균열 | 허용되지 않음 | ||||
| 에지 제외 | 3mm | ||||





