Monokrystaliczny 8-calowy krzemowy wafer od VET Energy to wiodące w branży rozwiązanie do produkcji półprzewodników i urządzeń elektronicznych. Oferując wyższą czystość i strukturę krystaliczną, te wafle są idealne do zastosowań o wysokiej wydajności zarówno w przemyśle fotowoltaicznym, jak i półprzewodnikowym. VET Energy zapewnia, że każdy wafel jest skrupulatnie przetwarzany, aby spełniać najwyższe standardy, zapewniając doskonałą jednorodność i gładkie wykończenie powierzchni, które są niezbędne do zaawansowanej produkcji urządzeń elektronicznych.
Te monokrystaliczne 8-calowe wafle krzemowe są kompatybilne z szeregiem materiałów, w tym waflem Si, podłożem SiC, waflem SOI, podłożem SiN i są szczególnie odpowiednie do wzrostu wafli Epi. Ich doskonała przewodność cieplna i właściwości elektryczne sprawiają, że są niezawodnym wyborem do produkcji o wysokiej wydajności. Ponadto te wafle są zaprojektowane tak, aby bezproblemowo współpracować z materiałami takimi jak tlenek galu Ga2O3 i wafel AlN, oferując szeroki zakres zastosowań od elektroniki mocy po urządzenia RF. Wafle idealnie pasują również do systemów kasetowych do środowisk produkcyjnych o dużej objętości i zautomatyzowanych.
Linia produktów VET Energy nie ogranicza się do płytek krzemowych. Dostarczamy również szeroką gamę materiałów półprzewodnikowych, w tym SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer itp., a także nowe materiały półprzewodnikowe o szerokiej przerwie energetycznej, takie jak Gallium Oxide Ga2O3 i AlN Wafer. Produkty te mogą spełniać potrzeby aplikacji różnych klientów w zakresie elektroniki mocy, częstotliwości radiowej, czujników i innych dziedzin.
VET Energy oferuje klientom dostosowane rozwiązania waflowe. Możemy dostosować wafle o różnej rezystywności, zawartości tlenu, grubości itp. zgodnie ze specyficznymi potrzebami klientów. Ponadto zapewniamy również profesjonalne wsparcie techniczne i serwis posprzedażowy, aby pomóc klientom rozwiązać różne problemy napotykane w trakcie procesu produkcyjnego.
SPECYFIKACJE WAFLI
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=półizolacyjny
| Przedmiot | 8 cali | 6 cali | 4-calowy | ||
| brak | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(Wielka Brytania) | ≤6um | ≤6um | |||
| Łuk (GF3YFCD) - wartość bezwzględna | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Osnowa (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Krawędź wafla | Ścięcie | ||||
WYKOŃCZENIE POWIERZCHNI
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=półizolacyjny
| Przedmiot | 8 cali | 6 cali | 4-calowy | ||
| brak | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Wykończenie powierzchni | Dwustronny optyczny środek polerujący Si-Face CMP | ||||
| Chropowatość powierzchni | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Ra powierzchni krzemu ≤0,2 nm | |||
| Wióry krawędziowe | Niedozwolone (długość i szerokość ≥0,5 mm) | ||||
| Wcięcia | Niedozwolone | ||||
| Zadrapania (Si-Face) | Ilość ≤5, łącznie | Ilość ≤5, łącznie | Ilość ≤5, łącznie | ||
| Spękanie | Niedozwolone | ||||
| Wykluczenie krawędzi | 3mm | ||||





