Монокристаллическая 8-дюймовая кремниевая пластина

Краткое описание:

Монокристаллическая 8-дюймовая кремниевая пластина VET Energy — это высокочистый, высококачественный полупроводниковый базовый материал. VET Energy использует передовой процесс выращивания CZ, чтобы гарантировать, что пластина имеет превосходное качество кристалла, низкую плотность дефектов и высокую однородность, обеспечивая прочную и надежную подложку для ваших полупроводниковых устройств.


Подробности продукта

Теги продукта

8-дюймовая монокристаллическая кремниевая пластина от VET Energy — ведущее в отрасли решение для производства полупроводников и электронных устройств. Эти пластины, обладающие превосходной чистотой и кристаллической структурой, идеально подходят для высокопроизводительных приложений как в фотоэлектрической, так и в полупроводниковой промышленности. VET Energy гарантирует, что каждая пластина тщательно обрабатывается в соответствии с высочайшими стандартами, обеспечивая превосходную однородность и гладкую поверхность, которые необходимы для производства современных электронных устройств.

Эти монокристаллические 8-дюймовые кремниевые пластины совместимы с рядом материалов, включая Si-пластины, SiC-подложки, SOI-пластины, SiN-подложки, и особенно подходят для роста Epi-пластин. Их превосходная теплопроводность и электрические свойства делают их надежным выбором для высокоэффективного производства. Кроме того, эти пластины разработаны для бесперебойной работы с такими материалами, как оксид галлия Ga2O3 и AlN-пластины, предлагая широкий спектр применений от силовой электроники до радиочастотных устройств. Пластины также идеально подходят для кассетных систем для крупносерийных автоматизированных производственных сред.

Линейка продукции VET Energy не ограничивается кремниевыми пластинами. Мы также предлагаем широкий ассортимент материалов для полупроводниковых подложек, включая SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer и т. д., а также новые широкозонные полупроводниковые материалы, такие как оксид галлия Ga2O3 и AlN Wafer. Эти продукты могут удовлетворить потребности различных клиентов в области силовой электроники, радиочастот, датчиков и других областях.

VET Energy предоставляет клиентам индивидуальные решения для пластин. Мы можем изготавливать пластины с различным сопротивлением, содержанием кислорода, толщиной и т. д. в соответствии с конкретными потребностями клиентов. Кроме того, мы также предоставляем профессиональную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы помочь клиентам решить различные проблемы, возникающие в процессе производства.

第6页-36
第6页-35

СПЕЦИФИКАЦИИ ПЛАСТИН

*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

нП

н-Пм

н-Пс

SI

SI

ТТВ(GBIR)

≤6мкм

≤6мкм

Лук (GF3YFCD)-Абсолютное значение

≤15мкм

≤15мкм

≤25мкм

≤15мкм

Варп (GF3YFER)

≤25мкм

≤25мкм

≤40мкм

≤25мкм

ЛТВ(СБИР)-10ммx10мм

<2мкм

Край вафли

Скашивание

ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ

*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

нП

н-Пм

н-Пс

SI

SI

Отделка поверхности

Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP

Шероховатость поверхности

(10мкм x 10мкм) Si-FaceRa≤0.2нм
C-грань Ra≤ 0,5 нм

(5мкмx5мкм) Si-поверхность Ra≤0,2нм
C-грань Ra≤0.5нм

Краевые чипы

Не допускается (длина и ширина ≥0,5 мм)

Отступы

Не разрешено

Царапины (Si-Face)

Кол-во ≤5,Накопительное
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во ≤5,Накопительное
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во ≤5,Накопительное
Длина≤0,5×диаметр пластины

Трещины

Не разрешено

Исключение кромки

3мм

размер_технологии_1_2
Китай (2)

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Онлайн-чат WhatsApp!