8-дюймовая монокристаллическая кремниевая пластина от VET Energy — ведущее в отрасли решение для производства полупроводников и электронных устройств. Эти пластины, обладающие превосходной чистотой и кристаллической структурой, идеально подходят для высокопроизводительных приложений как в фотоэлектрической, так и в полупроводниковой промышленности. VET Energy гарантирует, что каждая пластина тщательно обрабатывается в соответствии с высочайшими стандартами, обеспечивая превосходную однородность и гладкую поверхность, которые необходимы для производства современных электронных устройств.
Эти монокристаллические 8-дюймовые кремниевые пластины совместимы с рядом материалов, включая Si-пластины, SiC-подложки, SOI-пластины, SiN-подложки, и особенно подходят для роста Epi-пластин. Их превосходная теплопроводность и электрические свойства делают их надежным выбором для высокоэффективного производства. Кроме того, эти пластины разработаны для бесперебойной работы с такими материалами, как оксид галлия Ga2O3 и AlN-пластины, предлагая широкий спектр применений от силовой электроники до радиочастотных устройств. Пластины также идеально подходят для кассетных систем для крупносерийных автоматизированных производственных сред.
Линейка продукции VET Energy не ограничивается кремниевыми пластинами. Мы также предлагаем широкий ассортимент материалов для полупроводниковых подложек, включая SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer и т. д., а также новые широкозонные полупроводниковые материалы, такие как оксид галлия Ga2O3 и AlN Wafer. Эти продукты могут удовлетворить потребности различных клиентов в области силовой электроники, радиочастот, датчиков и других областях.
VET Energy предоставляет клиентам индивидуальные решения для пластин. Мы можем изготавливать пластины с различным сопротивлением, содержанием кислорода, толщиной и т. д. в соответствии с конкретными потребностями клиентов. Кроме того, мы также предоставляем профессиональную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы помочь клиентам решить различные проблемы, возникающие в процессе производства.
СПЕЦИФИКАЦИИ ПЛАСТИН
*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный
| Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
| нП | н-Пм | н-Пс | SI | SI | |
| ТТВ(GBIR) | ≤6мкм | ≤6мкм | |||
| Лук (GF3YFCD)-Абсолютное значение | ≤15мкм | ≤15мкм | ≤25мкм | ≤15мкм | |
| Варп (GF3YFER) | ≤25мкм | ≤25мкм | ≤40мкм | ≤25мкм | |
| ЛТВ(СБИР)-10ммx10мм | <2мкм | ||||
| Край вафли | Скашивание | ||||
ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ
*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный
| Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
| нП | н-Пм | н-Пс | SI | SI | |
| Отделка поверхности | Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP | ||||
| Шероховатость поверхности | (10мкм x 10мкм) Si-FaceRa≤0.2нм | (5мкмx5мкм) Si-поверхность Ra≤0,2нм | |||
| Краевые чипы | Не допускается (длина и ширина ≥0,5 мм) | ||||
| Отступы | Не разрешено | ||||
| Царапины (Si-Face) | Кол-во ≤5,Накопительное | Кол-во ≤5,Накопительное | Кол-во ≤5,Накопительное | ||
| Трещины | Не разрешено | ||||
| Исключение кромки | 3мм | ||||





