De monokristalline 8-Zoll-Siliziumwafer vu VET Energy ass eng féierend Léisung an der Branchenindustrie fir d'Produktioun vun Hallefleeder an elektroneschen Apparater. Mat enger iwwerleeëner Rengheet a kristalliner Struktur si dës Wafere ideal fir héich performant Uwendungen an der Photovoltaik- a Hallefleederindustrie. VET Energy garantéiert, datt all Wafer grëndlech veraarbecht gëtt, fir déi héchst Standarden ze erfëllen, wat eng exzellent Uniformitéit an eng glat Uewerflächenfinish garantéiert, déi essentiell fir d'Produktioun vun fortgeschrattenen elektroneschen Apparater sinn.
Dës monokristallin 8-Zoll-Siliziumwafere si kompatibel mat enger Rei vu Materialien, dorënner Si-Wafer, SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, a si besonnesch gëeegent fir Epi-Wafer-Wuesstum. Hir iwwerleeën thermesch Leetfäegkeet an elektresch Eegeschafte maachen se zu enger zouverléisseger Wiel fir héicheffizient Produktioun. Zousätzlech sinn dës Wafere sou entwéckelt, datt se nahtlos mat Materialien wéi Galliumoxid Ga2O3 an AlN-Wafer funktionéieren, a bidden eng breet Palette vun Uwendungen, vun der Leeschtungselektronik bis zu HF-Geräter. D'Wafere passen och perfekt a Kassettesystemer fir automatiséiert Produktiounsëmfeld mat héije Volumen.
D'Produktlinn vu VET Energy beschränkt sech net op Siliziumwaferen. Mir bidden och eng breet Palette vu Hallefleeder-Substratmaterialien, dorënner SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, Epi-Wafer, etc., souwéi nei Hallefleedermaterialien mat enger breeder Bandlück wéi Galliumoxid Ga2O3 an AlN-Wafer. Dës Produkter kënnen den Uwendungsbedürfnisser vu verschiddene Clienten an der Leeschtungselektronik, der Radiofrequenz, de Sensoren an anere Beräicher erfëllen.
VET Energy bitt senge Clienten personaliséiert Waferléisungen. Mir kënnen Wafere mat ënnerschiddlechem Widderstand, Sauerstoffgehalt, Déckt, etc. no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten personaliséieren. Zousätzlech bidden mir och professionellen techneschen Support an After-Sales-Service fir de Clienten ze hëllefen, verschidde Problemer ze léisen, déi während dem Produktiounsprozess optrieden.
WAFEREN-SPECIFIKATIOUNEN
*n-Pm=n-Typ Pm-Grad, n-Ps=n-Typ Ps-Grad, Sl=Hallefisoléierend
| Artikel | 8-Zoll | 6-Zoll | 4-Zoll | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6µm | ≤6µm | |||
| Béi(GF3YFCD) - Absolutwäert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Verdreiwung (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR) - 10mmx10mm | <2μm | ||||
| Waferrand | Ofschrägung | ||||
Uewerflächenofschloss
*n-Pm=n-Typ Pm-Grad, n-Ps=n-Typ Ps-Grad, Sl=Hallefisoléierend
| Artikel | 8-Zoll | 6-Zoll | 4-Zoll | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Uewerflächenfinish | Duebelsäiteg Optesch Politur, Si-Face CMP | ||||
| Uewerflächenrauheet | (10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm | (5µmx5µm) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Kantchips | Keen erlaabt (Längt a Breet ≥0,5 mm) | ||||
| Aréckungen | Keen erlaabt | ||||
| Kratzer (Si-Face) | Quantitéit ≤5, Kumulativ | Quantitéit ≤5, Kumulativ | Quantitéit ≤5, Kumulativ | ||
| Rëss | Keen erlaabt | ||||
| Randausgrenzung | 3mm | ||||





