Tünnisusseptor is a võtikomponent, mida kasutatakse erinevates pooljuhtide tootmisprotsessides.Kasutame oma patenteeritud tehnoloogiat, et valmistadatünnisusceptorkoosäärmiselt kõrge puhtusastmega,heakateühtlusja suurepärane kasutusiga, samutikõrge keemiline vastupidavus ja termiline stabiilsus.
Kutseõppe energia on seeCVD-kattega kohandatud grafiidist ja ränikarbiidist toodete tegelik tootja,saab tarnidamitmesugusedpooljuhtide ja fotogalvaanika tööstuse kohandatud osad. OMeie tehniline meeskond pärineb tipptasemel kodumaistest teadusasutustest, suudab pakkuda professionaalsemaid materjalilahendusi.sinu jaoks.
Arendame pidevalt täiustatud protsesse, et pakkuda veelgi täiustatumaid materjale,jaon välja töötanud eksklusiivse patenteeritud tehnoloogia, mis muudab katte ja aluspinna vahelise nakkuvuse tihedamaks ja vähem altid eraldumisele.
Fmeie toodete omadused:
1. Kõrge temperatuuriga oksüdatsioonikindlus kuni 1700℃.
2. Kõrge puhtusaste jatermiline ühtlus
3. Suurepärane korrosioonikindlus: hape, leelis, sool ja orgaanilised reagendid.
4. Kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.
5. Pikem kasutusiga ja vastupidavam
| Südame-veresoonkonna haigus SiC薄膜基本物理性能 CVD-siikarbiidi põhilised füüsikalised omadusedkate | |
| 性质 / Kinnisvara | 典型数值 / Tüüpiline väärtus |
| 晶体结构 / Kristallstruktuur | FCC β-faas多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 Tihedus | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kõvadus | 2500 维氏硬度 (500 g koorem) |
| 晶粒大小 Teravilja suurus | 2–10 μm |
| 纯度 / Keemiline puhtus | 99,99995% |
| 热容 / Soojusmahtuvus | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatsioonitemperatuur | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Paindetugevus | 415 MPa RT 4-punktiline |
| 杨氏模量 / Youngi moodul | 430 Gpa 4pt painutus, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalJuhtivus | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Soojuspaisumine (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Tere tulemast meie tehasesse külla, arutame lähemalt!
