Суссептори баррели бо пӯшонидашудаи SiC

Тасвири баррели бо пӯшонидашудаи SiC Susceptor

Тавсифи мухтасар:

VET Energy SiC Coated Barrel Susceptor маҳсулоти баландсифат аст, ки барои таъмини кори доимӣ ва боэътимод дар муддати тӯлонӣ тарҳрезӣ шудааст. Он дорои муқовимати хеле хуби гармӣ ва якрангии гармӣ, тозагии баланд ва муқовимати эрозия мебошад, ки онро барои коркарди вафлҳо роҳи ҳалли беҳтарин мегардонад.

Ҷои пайдоиш:Чин

Сохтори кристаллӣ:Марҳилаи FCCβ

Зичӣ:3.21 г/см3;

Сахтӣ:2500 Викерс;

Андозаи ғалладона:2~10μm;

Покии кимиёвӣ:99.99995%;

Иқтидори гармӣ:640J·kg-1·K-1;

Ҳарорати сублиматсия:2700℃;

Қувваи мушакҳои бадан:415 МПа (RT 4-нуқтаӣ);

Модули Янг:430 ГПа (хами 4pt, 1300℃);

Васеъшавии гармӣ (CTE):4.5 10-6K-1;

Гузаронидани гармӣ:300 (Вт/МК);

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Барчаспҳои маҳсулот

Санҷиши баррел is a калидҷузъе, ки дар равандҳои гуногуни истеҳсоли нимноқилҳо истифода мешавад.Мо технологияи патентшудаи худро барои сохтани он истифода мебаремсуссептори баррелӣботозагии бениҳоят баланд,хубпӯшишякрангӣва мӯҳлати хизмати аъло, инчунинхосиятҳои баланди муқовимати кимиёвӣ ва устувории гармӣ.

Энергияи VET ин аст истеҳсолкунандаи воқеии маҳсулоти фармоишии графит ва карбиди кремний бо пӯшиши CVD,метавонад таъмин кунадгуногунқисмҳои фармоишӣ барои саноати нимноқилҳо ва фотоэлектрикӣ. OДастаи техникии шумо аз муассисаҳои пешбари тадқиқотии ватанӣ меояд, метавонад роҳҳои ҳалли масолеҳи касбиро пешниҳод кунадбарои шумо.

Мо пайваста равандҳои пешрафтаро барои пешниҳоди маводҳои пешрафтатар таҳия мекунем,ваяк технологияи истисноии патентшударо таҳия кардаанд, ки метавонад пайванди байни рӯйпӯш ва субстратро мустаҳкамтар ва камтар осебпазир гардонад.

Fхусусиятҳои маҳсулоти мо:

1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд то 1700℃.
2. Покии баланд ваякрангии гармӣ
3. Муқовимати аъло ба зангзанӣ: кислота, ишқорӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.
4. Сахтии баланд, сатҳи фишурда, зарраҳои майда.
5. Мӯҳлати хизмати дарозтар ва пойдортар

дилу раг SiC薄膜基本物理性能 Хусусиятҳои асосии физикии CVD SiCпӯшиш
性质 / Амвол	典型数值 / Арзиши маъмулӣ
晶体结构 / Сохтори булӯрӣ	Марҳилаи FCC β多晶，主要为（111）取向
密度 / Зичӣ	3.21 г/см³
硬度 / Сахтӣ	2500 维氏硬度（500г бор）
晶粒大小 / Шумораи ғалладона	2~10μm
纯度 / Покии кимиёвӣ	99.99995%
热容 / Иқтидори гармӣ	640 Ҷ·кг^-1·К^-1
升华温度 / Ҳарорати сублиматсия	2700℃
抗弯强度 / Қувваи хамшавӣ	415 МПа RT 4-нуқтаӣ
杨氏模量 Модули Янг /	430 Gpa 4pt хам, 1300℃
导热系数 / ТермалНоқилият	300 Вт·м^-1·К^-1
热膨胀系数 / Васеъшавии гармӣ (CTE)	4.5×10^-6K^-1