Susceptor dolii SiC obductus

Imago Praecipua Susceptoris Cylindrici SiC Obducti

Descriptio Brevis:

Susceptor cylindricus VET Energy SiC obductus est productum magnae efficaciae destinatum ad praebendum functionem constantem et fidam per longius tempus. Resistentiam caloris et uniformitatem thermalem optimam, puritatem magnam, resistentiam erosionis habet, quae eum solutionem perfectam ad applicationes tractationis crustularum facit.

Locus Originis:Sina

Structura Crystallina:Phase FCCβ

Densitas:3.21 g/cm³;

Duritia:2500 Vickers;

Magnitudo Grani:2~10μm;

Puritas Chemica:99.99995%;

Capacitas Calorifera:640J·kg⁻¹·K⁻¹;

Temperatura Sublimationis:2700℃;

Robur Feflexurale:415 Mpa (RT 4-Puncta);

Modulus Youngi:430 Gpa (flexura 4pt, 1300℃);

Expansio Thermalis (CTE):4.5 10-6K-1;

Conductivitas Thermalis:300 (W/MK);

Mitte nobis inscriptionem electronicam Deprime ut PDF

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Susceptor dolii is a clavispars in variis processibus fabricationis semiconductorum adhibita.Technologia nostra patente utimur ad faciendumsusceptor doliicumpuritate summa,bonusobductiouniformitaset optimam vitam servitii, necnonAltae resistentiae chemicae et stabilitatis thermalis proprietates.

Energia VET est ille/illa/illudverus fabricator productorum graphiti et carburi silicii cum inductione CVD ad mensuram factarum,potest supplerevariiPartes ad usum fabricatae pro industria semiconductorum et photovoltaicorum. OTurma technica nostra ex summis institutis investigationis domesticis venit, solutiones materiales professionaliores praebere potest.tibi.

Processus provectiores continuo evolvimus ut materias provectiores praebeamus,ettechnologiam exclusivam et patentem excogitaverunt, quae nexum inter obductionem et substratum artiorem et minus pronam ad separationem reddere potest.

FProprietates productorum nostrorum:

1. Resistentia oxidationis altae temperaturae usque ad 1700Celsius.
2. Alta puritas etuniformitas thermalis
3. Excellens resistentia corrosionis: acidis, alcali, sali et reagentis organicis.
4. Alta duritia, superficies compacta, particulae tenues.
5. Diutius tempus servitii et diuturnius

Morbus cardiovascularis (CVD) SiC薄膜基本物理性能 Proprietates physicae fundamentales SiC CVDobductio
性质 / Proprietas	典型数值 / Valor Typicus
晶体结构 / Structura Crystallina	FCC phasis beta.111）取向
密度 Densitas	3.21 g/cm³
硬度 / Duritia	MMD -500g onus
晶粒大小 / Magnitudo Grani	2~10μm
纯度 / Puritas Chemica	99.99995%
热容 / Capacitas Calorifera	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura Sublimationis	2700℃
抗弯强度 / Robur Flexionale	415 MPa RT 4-puncta
杨氏模量 Modulus Youngianus	Flexus 430 Gpa 4pt, 1300℃
导热系数 / ThermaegoConductivitas	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 Expansio Thermica (CTE)	4.5×10^-6K^-1