Susceptor sa Baril nga Giputos sa SiC

Gipili nga Imahe sa SiC Coated Barrel Susceptor

Mubo nga Deskripsyon:

Ang VET Energy SiC Coated Barrel Susceptor usa ka taas nga performance nga produkto nga gidisenyo aron makahatag og makanunayon ug kasaligan nga performance sa taas nga panahon. Kini adunay maayo kaayong heat resistance ug thermal uniformity, taas nga purity, ug erosion resistance, nga naghimo niini nga hingpit nga solusyon para sa mga aplikasyon sa wafer processing.

Lugar nga Gigikanan:Tsina

Istruktura sa Kristal:Hugna sa FCCβ

Densidad:3.21 g/cm³;

Katig-a:2500 ka Vickers;

Gidak-on sa Lugas:2~10μm;

Kemikal nga Kaputli:99.99995%;

Kapasidad sa Init:640J·kg-1·K-1;

Temperatura sa Sublimasyon:2700℃;

Kusog sa Felexural:415 Mpa (RT 4-Punto);

Modulus ni Young:430 Gpa (4pt nga liko, 1300℃);

Pagpalapad sa Init (CTE):4.5 10-6K-1;

Konduktibidad sa Init:300（W/MK）;

Padad-i kami og email I-download isip PDF

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Susceptor sa bariles is a yawesangkap nga gigamit sa lain-laing proseso sa paggama sa semiconductor.Gigamit namo ang among patentadong teknolohiya aron mahimo angtigsuyop sa bariluban sataas kaayo nga kaputli,maayopatongpagkaparehasug usa ka maayo kaayo nga kinabuhi sa serbisyo, ingon man usabtaas nga resistensya sa kemikal ug mga kabtangan sa thermal stability.

Ang Enerhiya sa VET angtinuod nga tiggama sa gipahaom nga mga produkto sa graphite ug silicon carbide nga adunay CVD coating,makahataglain-laing mgagipahaom nga mga piyesa para sa industriya sa semiconductor ug photovoltaic. OAng among teknikal nga grupo gikan sa mga nanguna nga institusyon sa panukiduki sa nasud, makahatag og mas propesyonal nga mga solusyon sa materyalpara nimo.

Padayon namong gipalambo ang mga abanteng proseso aron makahatag og mas abanteng mga materyales,ugnakahimo og eksklusibong patentadong teknolohiya, nga makapahugot sa pagbugkos tali sa coating ug sa substrate ug makapamenos sa posibilidad nga mabulag.

Fmga kinaiya sa among mga produkto:

1. Taas nga temperatura nga resistensya sa oksihenasyon hangtod sa 1700℃.
2. Taas nga kaputli ugpagkaparehas sa kainit
3. Maayo kaayo nga resistensya sa kaagnasan: asido, alkali, asin ug organikong mga reagent.
4. Taas nga katig-a, compact nga nawong, pino nga mga partikulo.
5. Mas taas nga kinabuhi sa serbisyo ug mas lig-on

CVD SiC薄膜基本物理性能 Mga batakang pisikal nga kabtangan sa CVD SiCpatong
性质 / Kabtangan	典型数值 / Kasagaran nga Bili
晶体结构 / Kristal nga Istruktura	Hugna sa FCC β多晶，主要为（111）取向
密度 / Densidad	3.21 g/cm³
硬度 / Katig-a	2500 维氏硬度（500g load）
晶粒大小 / Gidak-on sa Lugas	2~10μm
纯度 / Kemikal nga Kaputli	99.99995%
热容 / Kapasidad sa Init	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura sa Sublimasyon	2700℃
抗弯强度 / Kusog sa Pag-flex	415 MPa RT 4-punto
杨氏模量 / Modulus ni Young	430 Gpa 4pt nga liko, 1300℃
导热系数 / ThermalKonduktibidad	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Pagpalapad sa Init (CTE)	4.5×10^-6K^-1