حامل‌های ویفر MOCVD گرافیتی با پوشش SiC، گیرنده‌های گرافیتی برایاپیتاکسی SiC,
سوسپکتورهای تامین کربن, سوسپکتورهای اپیتاکسی گرافیتی, زیرلایه‌های گرافیتی, سوسپتور MOCVD, اپیتاکسی SiC, سوسپکتورهای ویفری,

مزایای ویژه سوسپتورهای گرافیتی پوشش داده شده با SiC ما شامل خلوص بسیار بالا، پوشش همگن و طول عمر عالی است. آنها همچنین از مقاومت شیمیایی و پایداری حرارتی بالایی برخوردارند.

پوشش SiC روی زیرلایه گرافیتی برای کاربردهای نیمه‌هادی، قطعه‌ای با خلوص برتر و مقاومت در برابر اتمسفر اکسیدکننده تولید می‌کند.
SiC به روش CVD یا CVI روی گرافیت قطعات با طراحی ساده یا پیچیده اعمال می‌شود. این پوشش را می‌توان در ضخامت‌های مختلف و روی قطعات بسیار بزرگ اعمال کرد.

ویژگی‌ها:
· مقاومت عالی در برابر شوک حرارتی
· مقاومت عالی در برابر ضربه فیزیکی
· مقاومت شیمیایی عالی
· خلوص فوق العاده بالا
· موجود بودن در شکل‌های پیچیده
· قابل استفاده در اتمسفر اکسید کننده

کاربرد:

خواص معمول مواد گرافیت پایه:

سوسپکتورهای تامین کربنو قطعات گرافیتی برای همه راکتورهای اپیتاکسی فعلی. نمونه کارهای ما شامل سوسپتورهای بشکه‌ای برای واحدهای کاربردی و LPE، سوسپتورهای پنکیک برای واحدهای LPE، CSD و Gemini و سوسپتورهای تک ویفری برای واحدهای کاربردی و ASM است. SGL با ترکیب مشارکت‌های قوی با تولیدکنندگان اصلی تجهیزات (OEM)، تخصص در مواد و دانش فنی تولید، طراحی بهینه را برای کاربرد شما ارائه می‌دهد.