Anello in grafite rivestito in TaC

VET Energy si concentra sulla ricerca e sviluppo e sulla produzione di anelli di grafite rivestiti in carburo di tantalio (TaC) ad alte prestazioni mediante CVD e si impegna a fornire soluzioni di materiali di consumo essenziali per l'industria dei semiconduttori, del fotovoltaico e delle alte temperature. La nostra tecnologia di deposizione chimica da vapore (CVD), sviluppata in modo indipendente, forma un rivestimento in carburo di tantalio denso e uniforme sulla superficie del substrato di grafite attraverso processi di precisione, migliorando significativamente la resistenza alle alte temperature (>3000 °C), la resistenza alla corrosione e la resistenza agli shock termici del prodotto, prolungandone la durata di oltre 3 volte e riducendo i costi complessivi per i clienti.

I nostri vantaggi tecnici:
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura
In un'atmosfera di 1200°C, il tasso di aumento di peso dovuto all'ossidazione è ≤0,05 mg/cm²/h, che è più di 3 volte la durata della resistenza all'ossidazione della grafite ordinaria ed è adatto a condizioni di ciclo di riscaldamento-raffreddamento ad alta frequenza.
2. Resistenza alla corrosione del silicio fuso/metallo
Il rivestimento TaC è estremamente inerte nei confronti di metalli quali silicio liquido (1600°C), alluminio/rame fuso, ecc., evitando il cedimento strutturale degli anelli guida tradizionali dovuto alla penetrazione del metallo, particolarmente adatto per semiconduttori di potenza e produzione di semiconduttori di terza generazione.
3. Contaminazione da particelle estremamente bassa
Il processo CVD consente di ottenere una densità di rivestimento >99,5% e una rugosità superficiale di Ra≤0,2μm, riducendo il rischio di distacco di particelle dalla sorgente e soddisfacendo i severi requisiti di pulizia della produzione di wafer da 12 pollici.
4. Controllo preciso delle dimensioni
Grazie all'adozione della lavorazione di precisione CNC, la tolleranza dimensionale del substrato di grafite è di ±0,01 mm e la deformazione complessiva dopo il rivestimento è <±5 μm, il che lo rende adatto all'installazione in camere per apparecchiature ad alta precisione.